Fairchild Semiconductor BC848C-MR, BC848C, BC848A Datasheet

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Fairchild Semiconductor BC848C-MR, BC848C, BC848A Datasheet

 

NPN EPITAXIAL

BC846/847/848/849/850

SILICON TRANSISTOR

 

 

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS

Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits

LOW NOISE: BC849, BC850

Complement to BC856 ... BC860

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

 

 

 

 

Collector Base Voltage

VCBO

 

 

: BC846

 

80

V

: BC847/850

 

50

V

: BC848/849

 

30

V

Collector Emitter Voltage

VCEO

 

 

: BC846

 

65

V

: BC847/850

 

45

V

: BC848/849

 

30

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

 

 

: BC846/847

 

6

V

: BC848/849/850

 

5

V

Collector Current (DC)

IC

100

mA

Collector Dissipation

PC

310

mW

Junction Temperature

TJ

150

°C

Storage Temperature

TSTG

-65 ~ 150

°C

 

 

 

 

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)

 

 

Characteristic

 

 

 

 

 

Symbol

 

 

Test Conditions

Min

 

Typ

 

Max

 

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-off Current

 

 

 

 

ICBO

 

VCB=30V, IE=0

 

 

 

 

 

 

 

15

 

nA

DC Current Gain

 

 

 

 

 

 

hFE

 

VCE=5V, IC=2mA

 

110

 

 

 

 

 

800

 

 

Collector Emitter Saturation Voltage

 

 

VCE (sat)

 

IC=10mA, IB=0.5mA

 

 

 

 

90

 

250

 

mV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC=100mA, IB=5mA

 

 

 

200

 

600

 

mV

Collector Base Saturation Voltage

 

 

VBE (sat)

 

IC=10mA, IB=0.5mA

 

 

 

700

 

 

 

 

mV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC=100mA, IB=5mA

 

 

 

900

 

 

 

 

mV

Base Emitter On Voltage

 

 

 

 

VBE (on)

 

VCE=5V, IC=2mA

 

580

 

660

 

700

 

mV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE=5V, IC=10mA

 

 

 

 

 

 

 

720

 

mV

Current Gain Bandwidth Product

 

 

fT

 

 

 

VCE=5V, IC=10mA

 

 

 

300

 

 

 

 

MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=100MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Base Capacitance

 

 

 

 

CCBO

 

VCB=10V, f=1MHz

 

 

 

3.5

 

6

 

pF

Emitter Base Capacitance

 

 

 

 

CEBO

 

VEB=0.5V, f=1MHz

 

 

 

 

9

 

 

 

 

pF

Noise Figure

 

 

 

: BC846/847/848

 

NF

 

VCE=5V, IC=200μA

 

 

 

 

2

 

10

 

dB

 

 

 

 

 

: BC849/850

 

 

 

 

 

 

 

f=1KHz, RG=2KΩ

 

 

 

1.2

 

4

 

dB

 

 

 

 

 

: BC849

 

 

 

 

NF

 

VCE=5V, IC=200μA

 

 

 

1.4

 

4

 

dB

 

 

 

 

 

: BC850

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG=2KΩ

 

 

 

 

 

1.4

 

3

 

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=30~15000Hz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE CLASSIFICATION

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Classification

 

A

 

 

 

 

B

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE

 

 

 

110-220

 

 

200-450

 

420-800

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MARKING CODE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TYPE

846A

 

846B

846C

 

847A

847B

 

847C

 

848A

848B

848C

849A

849B

849C

 

850A

 

850B

850C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MARK

8AA

 

8AB

8AC

 

8BA

8BB

 

 

8BC

 

8CA

8CB

8CC

8DA

8DB

8DC

 

8EA

 

8EB

8EC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rev. B

ã1999 Fairchild Semiconductor Corporation

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