Fairchild Semiconductor BDX54B, BDX54A, BDX54C, BDX54 Datasheet

0 (0)

BDX54/A/B/C

Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications

• Power Darlington TR

• Complement to BDX53, BDX53A, BDX53B and BDX53C respectively

 

 

 

 

1

 

TO-220

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PNP Epitaxial Silicon Transistor

 

1.Base 2.Collector

3.Emitter

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Absolute Maximum Ratings TC=25° C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

 

 

Parameter

 

 

Value

 

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCBO

 

Collector-Base Voltage

: BDX54

 

 

- 45

 

 

 

 

V

 

 

 

 

: BDX54A

 

 

- 60

 

 

 

 

V

 

 

 

 

: BDX54B

 

 

- 80

 

 

 

 

V

 

 

 

 

: BDX54C

 

 

- 100

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCEO

 

Collector-Emitter Voltage : BDX54

 

 

- 45

 

 

 

 

V

 

 

 

 

: BDX54A

 

 

- 60

 

 

 

 

V

 

 

 

 

: BDX54B

 

 

- 80

 

 

 

 

V

 

 

 

 

: BDX54C

 

 

- 100

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VEBO

 

Emitter-Base Voltage

 

 

 

- 5

 

 

 

 

V

 

IC

 

Collector Current (DC)

 

 

 

- 8

 

 

 

 

A

 

ICP

 

*Collector Current (Pulse)

 

 

- 12

 

 

 

 

A

 

IB

 

Base Current

 

 

 

- 0.2

 

 

 

 

A

 

PC

 

Collector Dissipation (TC=25° C)

 

 

60

 

 

 

 

W

 

TJ

 

Junction Temperature

 

 

 

150

 

 

 

 

° C

TSTG

 

Storage Temperature

 

 

 

- 65 ~ 150

 

 

 

 

° C

Electrical Characteristics TC=25° C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

 

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

 

Max.

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCEO(sus)

* Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

: BDX54

IC = - 100mA, IB = 0

- 45

 

 

 

 

 

 

V

 

 

: BDX54A

 

 

- 60

 

 

 

 

 

 

V

 

 

: BDX54B

 

 

- 80

 

 

 

 

 

 

V

 

 

: BDX54C

 

 

- 100

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ICBO

Collector Cut-off Current

: BDX54

VCB = - 45V, IE = 0

 

 

 

- 200

 

 

A

 

 

: BDX54A

VCB = - 60V, IE = 0

 

 

 

- 200

 

 

A

 

 

: BDX54B

VCB = - 80V, IE = 0

 

 

 

- 200

 

 

A

 

 

: BDX54C

VCB = - 100V, IE = 0

 

 

 

- 200

 

 

A

ICEO

Collector Cut-off Current

: BDX54

VCE = - 22V, IB = 0

 

 

 

- 500

 

 

A

 

 

: BDX54A

VCE = - 30V, IB = 0

 

 

 

- 500

 

 

A

 

 

: BDX54B

VCE = - 40V, IB = 0

 

 

 

- 500

 

 

A

 

 

: BDX54C

VCE = - 50V, IB = 0

 

 

 

- 500

 

 

A

IEBO

Emitter Cut-off Current

 

VEB = - 5V, IC = 0

 

 

 

- 2

 

mA

hFE

* DC Current Gain

 

VCE = - 3V, IC = - 3A

750

 

 

 

 

 

 

 

VCE(sat)

* Collector-Emitter Saturation Voltage

IC = - 3A, IB = - 12mA

 

 

 

- 2

 

 

V

VBE(sat)

* Base-Emitter Saturation Voltage

IC = - 3A, IB = - 12mA

 

 

 

- 2.5

 

 

V

VF

* Parallel Diode Forward Voltage

IF = - 3A

 

- 1.8

 

- 2.5

 

 

V

 

 

 

 

IF = - 8A

 

- 2.5

 

 

 

 

 

V

* Pulse Test: PW=300

s, duty Cycle =1.5% Pulsed

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BDX54/A/B/C

©2000 Fairchild Semiconductor International

Rev. A, February 2000

Fairchild Semiconductor BDX54B, BDX54A, BDX54C, BDX54 Datasheet

Typical Characteristics

 

100000

 

 

 

 

 

VCE = -3V

CURRENT GAIN

10000

 

 

 

 

 

, DC

1000

 

 

 

 

 

FE

 

 

 

h

 

 

 

 

100

 

 

 

-0

-1

-10

 

 

IC[A], COLLECTOR CURRENT

 

Figure 1. DC current Gain

 

-3.2

 

 

VOLTAGE

-3.0

IC = 250IB

 

-2.8

 

 

-2.6

 

 

-2.4

 

 

SATURATION

 

 

-2.2

 

 

-2.0

 

 

-1.8

 

 

-1.6

 

 

 

 

 

(sat)[V],

-1.4

 

 

-1.2

 

 

 

 

 

CE

-1.0

 

 

V

-0.8

 

 

 

 

 

 

-0.6

 

 

 

-0

-1

-10

 

 

IC[A], COLLECTOR CURRENT

 

Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage

 

-100

 

 

 

CURRENT

IC Max. (Pulsed)

 

10us

 

-10

 

 

1ms

 

 

IC Max. (Continuous)

 

 

 

 

 

COLLECTOR

 

DC

100us

 

-1

 

 

 

 

 

 

 

[A],

 

BDX54

 

 

 

BDX54A

 

 

C

 

 

 

I

 

 

 

 

 

BDX54B

 

 

 

 

BDX54C

 

 

 

-0.1

 

 

 

 

-1

-10

-100

-1000

VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 5. Safe Operating Area

VOLTAGE

-3.6

 

 

BDX54/A/B/C

 

-3.4

 

IC = 250IB

 

 

 

 

 

 

-3.2

 

 

 

 

-3.0

 

 

 

SATURATION

-2.8

 

 

 

-2.6

 

 

 

 

-2.4

 

 

 

 

-2.2

 

 

 

(sat)[V],

-2.0

 

 

 

-1.8

 

 

 

 

-1.6

 

 

 

BE

-1.4

 

 

 

V

-1.2

 

 

 

 

 

 

 

 

-1.0

 

 

 

 

-0.1

-1

-10

 

 

 

IC[A], COLLECTOR CURRENT

 

 

Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

 

-3.0

 

 

 

-2.8

 

 

VOLTAGE

-2.6

 

 

-2.4

 

 

-2.2

 

 

 

 

 

FORWARD

-2.0

 

 

-1.8

 

 

-1.6

 

 

-1.4

 

 

(sat)[V],

-1.2

 

 

-1.0

 

 

 

 

 

F

 

 

 

V

-0.8

 

 

 

-0.6

 

 

 

-0.4

 

 

 

-0.1

-1

-10

 

 

IF[A], FORWARD CURRENT

 

Figure 4. Damper Diode Forward Voltage

 

80

 

 

 

 

 

 

 

 

70

 

 

 

 

 

 

 

DISSIPATION

60

 

 

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

 

 

 

POWER

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[W],

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

P

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

0

25

50

75

100

125

150

175

 

 

 

TC[oC], CASE TEMPERATURE

 

 

Figure 6. Power Derating

©2000 Fairchild Semiconductor International

Rev. A, February 2000

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