BC307/308/309 |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
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∙ LOW NOISE: BC309 |
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TO-92 |
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C) |
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Characteristic |
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Symbol |
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Rating |
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Unit |
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Collector-Emitter Voltage |
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VCES |
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|||
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|
: BC307 |
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|
-50 |
|
V |
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||
|
|
: BC308/309 |
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|
-30 |
|
V |
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||
Collector-Emitter Voltage |
|
VCEO |
|
|
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|||
|
|
: BC307 |
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|
|
|
-45 |
|
V |
|
|
|
|
|
|
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|
||
|
|
: BC308/309 |
|
|
|
|
|
-25 |
|
V |
|
|
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||
Emitter-Base Voltage |
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|
VEBO |
|
|
-5 |
|
V |
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||||
Collector Current (DC) |
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|
IC |
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|
-100 |
|
mA |
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||||
Collector Dissipation |
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|
PC |
|
|
500 |
|
mW |
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||||
Junction Temperature |
|
|
TJ |
|
|
150 |
|
°C |
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||||
Storage Temperature |
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|
TSTG |
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|
-55 ~ 150 |
|
°C |
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||||
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||||
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C) |
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Characteristic |
|
Symbol |
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Test Conditions |
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Min |
Typ |
Max |
Unit |
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||||||
Collector Emitter Breakdown Voltage |
|
BVCEO |
|
|
IC= -2mA, IB=0 |
|
-45 |
|
|
|
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||||||||||
|
|
: BC307 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
V |
|||
|
|
: BC308/309 |
|
|
|
|
|
|
IC= -10μA, IB=0 |
|
-25 |
|
|
V |
|||||||
Collector Emitter Breakdown Voltage |
|
BVCES |
|
|
|
-50 |
|
|
V |
||||||||||||
|
|
: BC307 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
: BC308/309 |
|
|
|
|
|
|
IE= -10μA, IB=0 |
|
-30 |
|
|
V |
|||||||
Emitter Base Breakdown Voltage |
|
BVEBO |
|
|
|
-5 |
|
|
V |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Collector Cut-off Current |
|
ICES |
|
|
|
|
VCE= -45V, IB=0 |
|
|
|
|
nA |
|||||||||
|
|
: BC307 |
|
|
|
|
|
|
|
|
-2 |
-15 |
|||||||||
|
|
: BC238/239 |
|
|
|
|
|
|
VCE= -25V, IB=0 |
|
|
-2 |
-15 |
nA |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
VCE= -5V, IC= -2mA |
|
|
|||||||||||
DC Current Gain |
|
|
|
hFE |
|
|
|
|
|
120 |
|
800 |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
IC= -10mA, IB= -0.5mA |
|
|
|
|
||||||||||
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
VCE |
(sat) |
|
|
|
|
|
-0.3 |
V |
|||||||||||
|
|
|
IC= -100mA, IB= -5mA |
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.5 |
|
V |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IC= -10mA, IB= -0.5mA |
|
|
|
||||||||
Collector Base Saturation Voltage |
|
VBE |
(sat) |
|
|
|
|
-0.7 |
|
V |
|||||||||||
|
|
|
IC= -100mA, IB= -5mA |
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-0.85 |
|
V |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VCE= -5V, IC= -2mA |
|
|
|
||||||||
Base Emitter On Voltage |
|
VBE |
(on) |
|
|
|
-0.55 |
-0.62 |
-0.7 |
V |
|||||||||||
|
|
|
VCE= -5V, IC= -10mA |
|
|||||||||||||||||
Current Gain Bandwidth Product |
|
fT |
|
|
|
|
|
|
130 |
|
MHz |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
Collector Base Capacitance |
|
CCBO |
|
|
VCB= -10V, f=1MHz |
|
|
|
6 |
pF |
|||||||||||
|
|
|
VEB= -0.5V, f=1MHz |
|
|
|
|||||||||||||||
Emitter Base Capacitance |
|
CEBO |
|
|
|
|
12 |
|
pF |
||||||||||||
Noise Figure |
: BC237/238 |
NF |
|
|
|
|
VCE= -5V, IC= -0.2mA, |
|
|
|
10 |
dB |
|||||||||
|
|
: BC239 |
|
|
|
|
|
|
RG=2KΩ, f=1KHz |
|
|
|
4 |
dB |
|||||||
|
|
: BC239 |
|
NF |
|
|
|
|
VCE= -5V, IC= -0.2mA |
|
|
2 |
4 |
dB |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RG=2KΩ, f=30~15KHz |
|
|
|
|
|
|
|||||
hFE CLASSIFICATION |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Classification |
|
A |
|
|
B |
|
|
|
|
C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
hFE |
|
120-220 |
|
180-460 |
|
|
|
380-800 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rev. B
ã1999 Fairchild Semiconductor Corporation
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