Fairchild Semiconductor GBU4G, GBU4D, GBU4B, GBU4M, GBU4K Datasheet

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Fairchild Semiconductor GBU4G, GBU4D, GBU4B, GBU4M, GBU4K Datasheet

GBU4A - GBU4M

Features

Surge overload rating: 150 amperes peak.

Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique.

Ideal for printed circuit board.

GBU

4.0 Ampere Bridge Rectifiers

0.125 X 45O

 

 

 

 

 

 

(3.2) Typ

0.880

(22.3)

 

0.020 R

 

 

 

0.860

(21.8)

 

 

 

 

 

 

TYP

 

 

 

 

0.160

(4.1)

 

0.310

(7.9)

 

 

 

0.140

(3.5)

 

0.290

(7.4)

0.740 (18.8)

0.075 R

+

 

0.085

(2.16)

 

 

 

 

0.720

(18.3)

(1.9)

+

 

0.065

(1.65)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

~

 

~

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.080 (2.03)

0.710 (18.0)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.060

(1.52)

0.690

(17.5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.100 (2.54)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.085

(2.16)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.080

(2.03)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.050

(1.27)

 

 

 

0.065

(1.65)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.040

(1.02)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.050 (1.3)

 

 

 

 

Dimensions are in:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.040 (1.0)

 

 

 

 

 

 

 

inches (mm)

0.210 (5.3)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.190

 

(4.8)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

 

Parameter

 

 

 

 

 

 

Value

 

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IO

Average Rectified Current

@ TA = 100°C

 

 

 

 

 

4.0

 

 

 

 

 

A

 

 

 

 

 

@ TA = 40°C

 

 

 

 

 

3.0

 

 

 

 

 

A

 

if(surge)

Peak Forward Surge Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.3 ms single half-sine-wave

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

 

A

 

 

 

 

Superimposed on rated load (JEDEC method)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PD

Total Device Dissipation

 

 

 

 

 

 

 

6.9

 

 

 

 

 

W

 

 

 

 

Derate above 25°C

 

 

 

 

 

 

 

55

 

 

 

mW/°C

 

RθJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg

 

 

 

 

19

 

 

 

 

°C/W

 

Tstg

Storage Temperature Range

 

 

 

 

 

 

 

-55 to +150

 

 

 

 

°C

 

TJ

Operating Junction Temperature

 

 

 

 

 

-55 to +150

 

 

 

 

°C

 

 

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

**Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

 

 

 

Device

 

 

 

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4A

4B

4D

 

 

4G

 

4J

 

4K

4M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Peak Repetitive Reverse Voltage

 

50

100

200

 

400

 

600

 

800

 

1000

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum RMS Input Voltage

 

35

70

140

 

280

 

420

 

560

 

700

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Reverse Voltage (Rated VR)

 

50

100

200

 

400

 

600

 

800

 

1000

 

V

 

 

Maximum Reverse Leakage, per element

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μA

 

 

@ rated VR

TA = 25°C

 

 

 

 

5.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TA = 125°C

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

 

 

μA

 

 

Maximum Forward Voltage Drop, per element

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

@ 4.0 A

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

I2t rating for fusing

t < 8.35 ms

 

 

 

 

93

 

 

 

 

 

 

 

A2Sec

 

GBU4M - GBU4A

ã1999 Fairchild Semiconductor Corporation

GBU4A-GBU4M, Rev. A

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