Siemens BCW68H, BCW68G, BCW68F, BCW67C, BCW67B Datasheet

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Siemens BCW68H, BCW68G, BCW68F, BCW67C, BCW67B Datasheet

PNP Silicon AF Transistors

BCW 67

 

BCW 68

For general AF applications

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BCW 65, BCW 66 (NPN)

Type

Marking

Ordering Code

 

 

Pin Configuration

 

Package1)

 

 

(tape and reel)

 

1

 

 

 

2

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BCW 67 A

DAs

Q62702-C1560

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SOT-23

 

 

B

E

C

BCW 67 B

DBs

Q62702-C1480

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BCW 67 C

DCs

Q62702-C1681

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BCW 68 F

DFs

Q62702-C1893

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BCW 68 G

DGs

Q62702-C1322

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BCW 68 H

DHs

Q62702-C1555

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1) For detailed information see chapter Package Outlines.

Semiconductor Group

1

5.91

BCW 67

BCW 68

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

 

Values

Unit

 

 

BCW 67

 

BCW 68

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-emitter voltage

VCE0

32

 

45

V

 

 

 

 

 

 

Collector-base voltage

VCB0

45

 

60

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-base voltage

VEB0

5

 

5

 

 

 

 

 

 

 

Collector current

IC

 

800

mA

 

 

 

 

 

 

Peak collector current

ICM

 

1

A

 

 

 

 

 

 

Base current

IB

 

100

mA

 

 

 

 

 

 

Peak base current

IBM

 

200

 

 

 

 

 

 

 

Total power dissipation, TS = 79 ˚C

Ptot

 

330

mW

 

 

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

 

150

˚C

 

 

 

 

 

 

Storage temperature range

Tstg

 

– 65 … + 150

 

 

 

 

 

 

 

Thermal Resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Junction - ambient1)

Rth JA

 

285

K/W

Junction - soldering point

Rth JS

 

215

 

 

 

 

 

 

 

1) Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.

Semiconductor Group

2

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