BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor |
BPX 38 |
Silicon NPN Phototransistor |
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fmo06018
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm
●Hohe Linearität
●Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C1)
●Gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleichund Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Typ |
Bestellnummer |
Type |
Ordering Code |
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BPX 38 |
Q62702-P15 |
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BPX 38-2 |
Q62702-P15-S2 |
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BPX 38-3 |
Q62702-P15-S3 |
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BPX 38-4 |
Q62702-P15-S4 |
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BPX 38-51) |
Q 62702-P15-S5 |
Features
●Especially suitable for applications from 450 nm to 1120 nm
●High linearity
●Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection, suitable up to 125 °C1)
●Available in groups
Applications
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
1)Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group |
217 |
10.95 |
BPX 38
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung |
Symbol |
Wert |
Einheit |
Description |
Symbol |
Value |
Unit |
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Betriebsund Lagertemperatur |
Top; Tstg |
– 55 ... + 125 |
°C |
Operating and storage temperature range |
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Löttemperatur bei Tauchlötung |
TS |
260 |
°C |
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse, |
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Lötzeit t £ 5 s |
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Dip soldering temperature ³ 2 mm distance |
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from case bottom, soldering time t £ 5 s |
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Löttemperatur bei Kolbenlötung |
TS |
300 |
ž°C |
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse, |
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Lötzeit t £ 3 s |
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Iron soldering temperature ³ 2 mm distance |
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from case bottom, soldering time t £ 3 s |
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Kollektor-Emitterspannung |
VCE |
50 |
V |
Collector-emitter voltage |
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Kollektorstrom |
IC |
50 |
mA |
Collector current |
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Kollektorspitzenstrom, t < 10 ms |
ICS |
200 |
mA |
Collector surge current |
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Emitter-Basisspannung |
VEB |
7 |
V |
Emitter-base voltage |
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Verlustleistung, TA = 25 °C |
Ptot |
220 |
mW |
Total power dissipation |
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Wärmewiderstand |
RthJA |
450 |
K/W |
Thermal resistance |
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Semiconductor Group |
218 |
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