Siemens BPX83, BPX82, BPX80, BPX89, BPX88 Datasheet
...
BPX 80
BPX 82 ... 89
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen |
BPX 80 |
Silicon NPN Phototransistor Arrays |
BPX 82 ... 89 |
fez06365
feo06367
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm
●Hohe Linearität
●Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
●Gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Miniaturlichtschranken für Gleichund Wechsellichtbetrieb
●Lochstreifenleser
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm
●High linearität
●Multiple-digit array package of transparent epoxy
●Available in groups
Applications
●Miniature photointerrupters
●Punched tape reading
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Semiconductor Group |
1 |
03.96 |
BPX 80
BPX 82 ... 89
Typ |
Transistoren |
|
Maße “A” |
Bestellnummer |
|
|
pro Zeile |
|
|
|
|
Type |
Number of Transistors |
|
Dimensions “A” |
Ordering Code |
|
|
per Array |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
min |
|
max |
|
|
|
|
|
|
|
BPX 82 |
2 |
4.5 |
|
4.9 |
Q62702-P21 |
|
|
|
|
|
|
BPX 83 |
3 |
7.0 |
|
7.4 |
Q62702-P25 |
|
|
|
|
|
|
BPX 84 |
4 |
9.6 |
|
10 |
Q62702-P30 |
|
|
|
|
|
|
BPX 85 |
5 |
12.1 |
|
12.5 |
Q62702-P31 |
|
|
|
|
|
|
BPX 86 |
6 |
14.6 |
|
15 |
Q62702-P22 |
|
|
|
|
|
|
BPX 87 |
7 |
17.2 |
|
17.6 |
Q62702-P32 |
|
|
|
|
|
|
BPX 88 |
8 |
19.7 |
|
20.1 |
Q62702-P33 |
|
|
|
|
|
|
BPX 89 |
9 |
22.3 |
|
22.7 |
Q62702-P26 |
|
|
|
|
|
|
BPX 80 |
10 |
24.8 |
|
25.2 |
Q62702-P28 |
|
|
|
|
|
|
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung |
Symbol |
Wert |
Einheit |
Description |
Symbol |
Value |
Unit |
|
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|
Betriebsund Lagertemperatur |
Top; Tstg |
– 40 ... + 80 |
°C |
Operating and storage temperature range |
|
|
|
|
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|
Löttemperatur bei Tauchlötung |
TS |
230 |
°C |
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse, |
|
|
|
Lötzeit t £ 3 s |
|
|
|
Dip soldering temperature ³ 2 mm distance |
|
|
|
from case bottom, soldering time t £ 3 s |
|
|
|
|
|
|
|
Löttemperatur bei Kolbenlötung |
TS |
300 |
°C |
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse, |
|
|
|
Lötzeit t £ 5 s |
|
|
|
Iron soldering temperature ³ 2 mm distance |
|
|
|
from case bottom, soldering time t £ 5 s |
|
|
|
|
|
|
|
Kollektor-Emitterspannung |
VCE |
32 |
V |
Collector-emitter voltage |
|
|
|
|
|
|
|
Kollektorstrom |
IC |
50 |
mA |
Collector current |
|
|
|
|
|
|
|
Semiconductor Group |
2 |
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