BP104FS
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
NEU: in SMT
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
NEW: in SMT
5.4
Cathode marking
4.0
3.7
0.6
0.4
0.6
0.4
0.8
0.6
1.2
0.5
0.3
0.7
0.35
0.2
0.8
0.6
4.9
4.5
4.3
0.6
0.4
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Chip position
2.2
0.6
0.4
1.9
3.5
3.0
BP 104 F
BP 104 FS
feo06075feo06861
Photosensitive area
1.2
1.6
Approx. weight 0.1 g
Photosensitive area Cathode lead
2.20 mm x 2.20 mm
2.20 mm x 2.20 mm
Chip position
1.2
1.1
0...0.1
0.9
0.7
0.3
6.7
6.2
4.5
4.3
1.6
1.2
1.1
0.9
0.2
0...5˚
1.5
1.7
4.0
GEO06861
GEO06075
0.1
3.7
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group 1 1997-11-19
BP 104 F
BP 104 FS
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen
bei 950 nm
● kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● DIL-Plastikbauform mit hoher Packungs-
dichte
● BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase
Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
BP 104 F
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P84
(*BP 104 )
Features
● Especially suitable for applications
of 950 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● DIL plastic package with high packing
density
● BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV sets,
video tape recorders, dimmers, remote
controls of various equipment
● Photointerrupters
BP 104 FS Q62702-P1646
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C P
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
tot
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 85 °C
20 V
150 mW
Semiconductor Group 2 1997-11-19
Loading...