Siemens BP103BF-4, BP103BF-3, BP103BF-2, BP103B-4, BP103B-3 Datasheet
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BP 103 B
BP 103 BF
NPN-Silizium-Fototransistor |
BP 103 |
B |
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NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter |
BP 103 |
BF |
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Silicon NPN Phototransistor |
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NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter |
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Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B) und bei 880 nm (BP 103 BF)
●Hohe Linearität
●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Computer-Blitzlichtgeräte
●Lichtschranken für Gleichund Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of 880 nm (BP 103 BF)
●High linearity
●5 mm LED plastic package
●Available in groups
Applications
●Computer-controlled flashes
●Light-reflecting switches for steady and varying intensity
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Semiconductor Group |
204 |
BP 103 B
BP 103 BF
Typ (*ab 4/95) |
Bestellnummer |
Gehäuse |
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Type (*as of 4/95) |
Ordering Code |
Package |
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BP 103 B-2 |
Q62702-P85-S2 |
T13/4, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Löt- |
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(*SFH 300-2) |
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spieβe im 2.54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzei- |
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chung: kürzerer Lötspieβ, flach am Gehäuseboden |
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BP 103 B-3 |
Q62702-P85-S3 |
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T13/4, transparent and black epoxy resin lens, sol- |
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(*SFH 300-3) |
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der tabs 2.54 mm (1/10”) lead spacing, collector |
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BP 103 B-41) |
Q62702-P85-S4 |
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(*SFH 300-4) |
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marking: short solder lead, flat at package bottom |
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BP 103 BF-2 |
Q62702-P1192 |
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(*SFH 300 FA-2) |
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BP 103 BF-3 |
Q62702-P1057 |
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(*SFH 300 FA-3) |
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BP 103 BF-4 |
Q62702-P1058 |
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(*SFH 300 FA-4) |
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1)Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung |
Symbol |
Wert |
Einheit |
Description |
Symbol |
Value |
Unit |
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Betriebsund Lagertemperatur |
Top; Tstg |
–55 ... +100 |
oC |
Operating and storage temperature range |
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Löttemperatur bei Tauchlötung |
T |
260 |
oC |
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, |
S |
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Lötzeit t ≤ 5s |
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Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance |
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from case bottom, soldering time t ≤ 5s |
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Löttemperatur bei Kolbenlötung |
T |
300 |
oC |
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, |
S |
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Lötzeit t ≤ 3s |
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Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance |
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from case bottom t ≤ 3s |
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Kollektor-Emitterspannung |
VCE |
35 |
V |
Collector-emitter voltage |
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Kollektorstrom |
IC |
50 |
mA |
Collector current |
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Semiconductor Group |
205 |
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