Fairchild Semiconductor ES1C, ES1B, ES1D, ES1A Datasheet

0 (0)
Fairchild Semiconductor ES1C, ES1B, ES1D, ES1A Datasheet

Discrete POWER & Signal

Technologies

ES1A - ES1D

Features

For surface mount applications.

Glass passivated junction.

Low profile package.

Easy pick and place.

Built-in strain relief.

Superfast recovery times for high efficiency.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.181 (4.597)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.157 (3.988)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.062 (1.575)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.055 (1.397)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.114 (2.896)

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.098 (2.489)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.208 (5.283)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.188 (4.775)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SMA/DO-214AC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.096 (2.438)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COLOR BAND DENOTES CATHODE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.078 (1.981)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.060 (1.524)

 

 

0.008 (0.203)

0.012 (0.305)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0 Ampere Superfast Rectifiers

 

 

 

0.030 (0.762)

 

 

0.004 (0.102)

0.006 (0.152)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

 

 

 

Parameter

 

 

 

 

Value

 

 

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IO

 

Average Rectified Current

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

A

 

 

 

@ TA = 120°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

if(surge)

 

Peak Forward Surge Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.3 ms single half-sine-wave

 

 

 

30

 

 

 

 

 

A

 

 

 

Superimposed on rated load (JEDEC method)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PD

 

Total Device Dissipation

 

 

 

 

 

1.47

 

 

 

 

W

 

 

 

Derate above 25°C

 

 

 

 

 

11.76

 

 

 

 

mW/°C

RθJA

 

Thermal Resistance, Junction to Ambient**

 

 

 

85

 

 

 

 

 

°C/W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RθJL

 

Thermal Resistance, Junction to Lead**

 

 

 

35

 

 

 

 

 

°C/W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tstg

 

Storage Temperature Range

 

 

 

 

 

-50 to +150

 

 

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ

 

Operating Junction Temperature

 

 

 

 

 

-50 to +150

 

 

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

**Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

 

 

Device

 

 

 

 

 

 

 

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1A

 

1B

 

 

1C

 

1D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Peak Repetitive Reverse Voltage

 

50

 

100

 

 

150

 

 

200

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum RMS Voltage

 

 

35

 

70

 

 

105

 

 

140

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Reverse Voltage

(Rated VR)

 

50

 

100

 

 

150

 

 

200

 

 

V

Maximum Reverse Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μA

@ rated VR

 

TA = 25°C

 

 

 

5.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TA = 100°C

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μA

Maximum Reverse Recovery Time

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

nS

IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Forward Voltage @ 1.0 A

 

 

 

0.92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Typical Junction Capacitance

 

 

 

7.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

pF

VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ES1D - ES1A

ã1999 Fairchild Semiconductor Corporation

ES1A-ES1D, Rev. A

Loading...
+ 2 hidden pages