MC54HCT373AJ
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
REV 7
Motorola, Inc. 1997
2/97
! !! #!
! ! $!
! "!
High–Performance Silicon–Gate CMOS
The MC54/74HCT373A may be used as a level converter for
interfacing TTL or NMOS outputs to High–Speed CMOS inputs.
The HCT373A is identical in pinout to the LS373.
The eight latches of the HCT373A are transparent D–type latches.
While the Latch Enable is high the Q outputs follow the Data Inputs. When
Latch Enable is taken low, data meeting the setup and hold times
becomes latched.
The Output Enable does not affect the state of the latch, but when
Output Enable is high, all outputs are forced to the high–impedance state.
Thus, data may be latched even when the outputs are not enabled.
The HCT373A is identical in function to the HCT573A, which has the
input pins on the opposite side of the package from the output pins. This
device is similar in function to the HCT533A, which has inverting outputs.
• Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads
• TTL/NMOS–Compatible Input Levels
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
• Operating Voltage Range: 4.5 to 5.5 V
• Low Input Current: 1.0 µA
• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No. 7A
• Chip Complexity: 196 FETs or 49 Equivalent Gates
LOGIC DIAGRAM
DATA
INPUTS
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
18
17
14
13
8
7
4
3
1
OUTPUT ENABLE
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
16
15
12
9
6
5
2
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
NONINVERTING
OUTPUTS
11
LATCH ENABLE
ОООООООООО
Design Criteria
Value
Units
ОООООООООО
Internal Gate Count*
49
ea.
ОООООООООО
ООООООООО
Internal Gate Propagation Delay
ÎÎ
1.5
Î
ns
ОООООООООО
ООООООООО
Î
Internal Gate Power Dissipation
ÎÎ
Î
5.0
Î
Î
µW
ОООООООООО
Speed Power Product
.0075
pJ
* Equivalent to a two–input NAND gate.
PIN ASSIGNMENT
Q2
D1
D0
Q0
OUTPUT
ENABLE
GND
Q3
D3
D2
Q1 5
4
3
2
1
10
9
8
7
6
14
15
16
17
18
19
20
11
12
13
Q6
D6
D7
Q7
V
CC
LATCH
ENABLE
Q4
D4
D5
Q5
FUNCTION TABLE
Inputs Output
Output Latch
Enable Enable D Q
LHHH
LHLL
L L X No Change
HXXZ
X = don’t care
Z = high impedance
DW SUFFIX
SOIC PACKAGE
CASE 751D–04
N SUFFIX
PLASTIC PACKAGE
CASE 738–03
ORDERING INFORMATION
MC54HCTXXXAJ
MC74HCTXXXAN
MC74HCTXXXADW
MC74HCTXXXASD
MC74HCTXXXADT
Ceramic
Plastic
SOIC
SSOP
TSSOP
DT SUFFIX
TSSOP PACKAGE
CASE 948E–02
J SUFFIX
CERAMIC PACKAGE
CASE 732–03
1
20
1
20
SD SUFFIX
SSOP PACKAGE
CASE 940C–03
1
20
1
20
1
20
MC54/74HCT373A
MOTOROLA High–Speed CMOS Logic Data
DL129 — Rev 6
2
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
V
in
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
V
out
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
I
in
DC Input Current, per Pin
± 20
mA
I
out
DC Output Current, per Pin
± 35
mA
I
CC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 75
mA
Î
Î
Î
P
D
ОООООООООООО
Î
ОООООООООООО
Power Dissipation in Still Air,Plastic or Ceramic DIP†
SOIC Package†
SSOP or TSSOP Package†
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
750
500
450
Î
Î
Î
mW
Î
T
stg
ОООООООООООО
Storage Temperature
ÎÎÎÎ
– 65 to + 150
Î
_
C
Î
Î
Î
Î
T
L
ОООООООООООО
Î
ОООООООООООО
Î
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package)
(Ceramic DIP)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
260
300
Î
Î
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
Ceramic DIP: – 10 mW/_C from 100_ to 125_C
SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
SSOP or TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
4.5
5.5
V
Vin, V
out
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
0
V
CC
V
T
A
Operating Temperature, All Package Types
– 55
+ 125
_
C
tr, t
f
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
0
500
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Symbol
ООООООО
Parameter
ООООООО
Test Conditions
ÎÎ
V
CC
V
ÎÎ
– 55 to
25_C
ÎÎ
v
85_C
ÎÎ
v
125_C
Î
Unit
ÎÎ
Î
V
IH
ООООООО
Î
Minimum High–Level Input
Voltage
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
4.5
5.5
ÎÎ
2.0
2.0
ÎÎ
Î
2.0
2.0
ÎÎ
Î
2.0
2.0
Î
Î
V
ÎÎ
Î
V
IL
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Input
Voltage
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
4.5
5.5
ÎÎ
0.8
0.8
ÎÎ
Î
0.8
0.8
ÎÎ
Î
0.8
0.8
Î
Î
V
ÎÎ
Î
V
OH
ООООООО
Î
Minimum High–Level Output
Voltage
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
4.5
5.5
ÎÎ
4.4
5.4
ÎÎ
Î
4.4
5.4
ÎÎ
Î
4.4
5.4
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 6.0 mA
ÎÎ
Î
4.5
ÎÎ
3.98
ÎÎ
Î
3.84
ÎÎ
Î
3.7
Î
Î
ÎÎ
Î
V
OL
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Output
Voltage
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
4.5
5.5
ÎÎ
0.1
0.1
ÎÎ
Î
0.1
0.1
ÎÎ
Î
0.1
0.1
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 6.0 mA
ÎÎ
Î
4.5
ÎÎ
0.26
ÎÎ
Î
0.33
ÎÎ
Î
0.4
Î
Î
I
in
Maximum Input Leakage Current
Vin = VCC or GND
5.5
± 0.1
± 1.0
± 1.0
µA
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high–impedance circuit. For proper operation, Vin and
V
out
should be constrained to the
range GND v (Vin or V
out
) v VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.
MC54/74HCT373A
High–Speed CMOS Logic Data
DL129 — Rev 6
3 MOTOROLA
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Unit
Guaranteed Limit
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
Unit
v
125_C
v
85_C
– 55 to
25_C
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
ÎÎ
Î
I
OZ
ООООООО
Î
Maximum Three–State
Leakage Current
ООООООО
Î
Output in High–Impedance State
Vin = VIL or V
IH
V
out
= VCC or GND
ÎÎ
Î
5.5
ÎÎ
± 0.5
ÎÎ
Î
± 5.0
ÎÎ
Î
± 10
Î
Î
µA
ÎÎ
Î
I
CC
ООООООО
Î
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND
I
out
= 0 µA
ÎÎ
Î
5.5
ÎÎ
4.0
ÎÎ
Î
40
ÎÎ
Î
160
Î
Î
µA
∆I
CC
Additional Quiescent Supply
Vin = 2.4 V, Any One Input
=
5.5
≥ –55_C
25_C to 125_C
mA
Current
V
i
n
=
V
CC
or
GND, Other Inputs
l
out
= 0 µA
2.9
2.4
NOTE: 1. T o tal Supply Current = ICC + Σ∆ICC.
NOTE:Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V
CC
= 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООООООООООООО
Î
Parameter
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
ÎÎ
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ООООООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Input D to Q
(Figures 1 and 5)
ÎÎ
Î
28
ÎÎ
Î
35
ÎÎ
Î
42
Î
Î
ns
ÎÎ
t
PLH
,
t
PHL
ООООООООООООООООО
Maximum Propagation Delay, Latch Enable to Q
(Figures 2 and 5)
ÎÎ32ÎÎ40ÎÎ48Î
ns
ÎÎ
Î
t
PLZ
,
t
PHZ
ООООООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
(Figures 3 and 6)
ÎÎ
Î
30
ÎÎ
Î
38
ÎÎ
Î
45
Î
Î
ns
ÎÎ
Î
t
PZL
,
t
PZH
ООООООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
(Figures 3 and 6)
ÎÎ
Î
35
ÎÎ
Î
44
ÎÎ
Î
53
Î
Î
ns
ÎÎ
Î
t
TLH
,
t
THL
ООООООООООООООООО
Î
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 5)
ÎÎ
Î
12
ÎÎ
Î
15
ÎÎ
Î
18
Î
Î
ns
ÎÎ
Î
C
in
ООООООООООООООООО
Î
Maximum Input Capacitance
ÎÎ
Î
10
ÎÎ
Î
10
ÎÎ
Î
10
Î
Î
pF
ÎÎ
Î
C
out
ООООООООООООООООО
Î
Maximum Three–State Output Capacitance
(Output in High–Impedance State)
ÎÎ
Î
15
ÎÎ
Î
15
ÎÎ
Î
15
Î
Î
pF
NOTE:For propagation delays with loads other than 50 pF , and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the Motorola High–
Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Latch)*
65
pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V
CC
2
f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
TIMING REQUIREMENTS (V
CC
= 5.0 V ± 10%, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООООООООООООО
Î
Parameter
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
ÎÎ
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
t
su
ООООООООООООООООО
Î
Minimum Setup Time, Input D to Latch Enable
(Figure 4)
ÎÎ
Î
10
ÎÎ
Î
13
ÎÎ
Î
15
Î
Î
ns
t
h
Minimum Hold Time, Latch Enable to Input D
(Figure 4)
10
13
15
ns
ÎÎ
Î
t
w
ООООООООООООООООО
Î
Minimum Pulse Width, Latch Enable
(Figure 2)
ÎÎ
Î
12
ÎÎ
Î
15
ÎÎ
Î
18
Î
Î
ns
ÎÎ
Î
tr, t
f
ООООООООООООООООО
Î
Maximum Input Rise and Fall Times
(Figure 1)
ÎÎ
Î
500
ÎÎ
Î
500
ÎÎ
Î
500
Î
Î
ns
Loading...