Fairchild Semiconductor KBU4M, KBU4K, KBU4J, KBU4D, KBU4B Datasheet

...
0 (0)

Discrete POWER & Signal

Technologies

KBU4A - KBU4M

Features

High surge current capability.

Reliable construction technique.

Ideal for printed circuit board.

KBU

4.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.935(23.7)

 

 

 

0.280(7.1)

0.16(4.1)

 

 

 

 

0.895(22.7)

 

 

0.260(6.6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.14(3.6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.085(2.2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45°

 

0.065(1.7)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.70(17.8)

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.66(16.8)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.0760(19.3)

 

 

 

 

 

 

~

 

 

 

 

0.455(11.3)

 

 

MAX

 

~ +

 

 

 

 

 

 

 

 

0.405(10.3)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.165(4.2)

0.150(3.8)

1.0(2.54)

MIN

 

 

 

 

 

 

 

 

0.260(6.8)

 

 

 

 

 

 

0.220(5.6)

 

 

 

 

 

 

 

 

0.180(4.5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.180(4.6)

 

 

 

 

 

 

0.052(1.3)

 

 

 

 

 

 

 

0.048(1.2)

Dimensions are in: inches (mm)

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

Parameter

 

 

 

 

Value

 

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IO

Average Rectified Current

 

 

 

 

 

 

 

4.0

 

 

A

 

 

 

@ TA = 50° C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

if(surge)

Peak Forward Surge Current

 

 

 

 

 

 

 

200

 

 

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PD

Total Device Dissipation

 

 

 

 

 

 

 

6.6

 

 

W

 

 

 

Derate above 25° C

 

 

 

 

 

 

 

53

 

 

mW/° C

 

 

Rθ JA

Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg

 

 

 

19

 

 

° C/W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rθ JL

Thermal Resistance, Junction to Lead,** per leg

 

 

 

 

4.0

 

 

° C/W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tstg

Storage Temperature Range

 

 

 

 

 

 

 

-55 to +150

 

° C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ

Operating Junction Temperature

 

 

 

 

 

 

-55 to +150

 

° C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

 

 

 

 

 

 

 

 

**Device mounted on PCB with 0.375 " (9.5 mm) lead length and 0.5 x 0.5" (13 x 13 mm) copper pads.

 

 

 

 

 

 

 

 

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

 

 

 

 

Device

 

 

 

 

 

Units

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4A

4B

 

4D

4G

 

4J

 

4K

4M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Peak Repetitive Reverse Voltage

 

50

100

 

200

400

 

 

600

 

800

 

1000

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum RMS Bridge Input Voltage

 

35

70

 

140

280

 

 

420

 

560

 

700

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Reverse Voltage (Rated VR)

 

50

100

 

200

400

 

 

600

 

800

 

1000

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Reverse Leakage,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

°

 

 

 

 

 

5.0

 

 

 

 

 

 

 

A

total bridge @ rated VR TA = 25 C

 

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

 

 

 

 

°

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

 

TA = 100 C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Forward Voltage Drop,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

per bridge

@ 4.0 A

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

V

KBU4M - KBU4A

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

KBU4A-KBU4M, Rev. A

Fairchild Semiconductor KBU4M, KBU4K, KBU4J, KBU4D, KBU4B Datasheet

Silicon Bridge Rectifiers

(continued)

Typical Characteristics

Forward Current Derating Curve

 

5

 

 

 

(A)

4

 

 

 

CURRENT

3

 

 

 

 

SINGLE PHASE

 

 

FORWARD

2

HALF WAVE

 

 

60HZ

 

 

 

 

 

 

RESISTIVE OR

 

 

1

INDUCTIVE LOAD

 

 

.375" 9.0 mm LEAD

 

 

 

 

LENGTHS

 

 

 

0

50

100

150

 

0

AMBIENT TEMPERATURE (º C)

Forward Characteristics

 

100

 

 

 

 

 

 

 

(A)

 

 

 

 

 

 

 

 

CURRENT

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FORWARD

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T = 25ºC

 

 

 

 

 

 

 

JA

 

 

 

 

 

 

 

Pulse Width = 300 S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2% Duty Cycle

 

 

 

 

0.1

0.7

0.8

0.9

1

1.1

1.2

1.3

 

0.6

FORWARD VOLTAGE (V)

Non-Repetitive Surge Current

(A)

200

 

 

 

 

 

 

175

 

 

 

 

 

 

CURRENT

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

 

 

125

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SURGE

100

 

 

 

 

 

 

75

 

 

 

 

 

 

FORWARD

 

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

2

5

10

20

50

100

 

1

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

Reverse Characteristics

 

100

 

 

 

 

 

 

 

A)

 

 

 

T A= 100º C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(

 

 

 

 

 

 

 

 

CURRENT

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

REVERSE

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T A= 25º C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

20

40

60

80

100

120

140

 

0

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

KBU4M - KBU4A

KBU4A-KBU4M, Rev. A

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