Fairchild Semiconductor KSE5742, KSE5741, KSE5740 Datasheet

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KSE5740/5741/5742

High Voltage Power Switching In Inductive Circuits

• High Voltage Power Darlington TR

• Small Engine lgnition

Switching Regulators

Inverters

• Solenold and Relay Drivers

 

1

 

 

TO-220

 

 

 

 

• Motor Control

 

1.Base

2.Collector

3.Emitter

NPN Silicon Darlington Transistor

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Absolute Maximum Ratings TC=25° C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

Parameter

 

 

 

Value

 

 

Units

BVCEO(sus)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

 

 

300

 

 

 

 

 

V

 

 

: KSE5740

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

: KSE5741

 

 

 

350

 

 

 

 

 

V

 

 

: KSE5742

 

 

 

400

 

 

 

 

 

V

VCEV

Collector-Emitter Voltage : KSE5740

 

 

 

600

 

 

 

 

 

V

 

 

: KSE5741

 

 

 

700

 

 

 

 

 

V

 

 

: KSE5742

 

 

 

800

 

 

 

 

 

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

 

 

 

8

 

 

 

 

 

V

IC

Collector Current (DC)

 

 

 

8

 

 

 

 

 

A

ICP

*Collector Current (Pulse)

 

 

 

16

 

 

 

 

 

A

IB

Base Current (DC)

 

 

 

2.5

 

 

 

 

 

A

IBP

*Base Current (Pulse)

 

 

 

5

 

 

 

 

 

A

PC

Collector Dissipation

 

 

 

80

 

 

 

 

 

W

TJ

Junction Temperature

 

 

 

150

 

 

 

 

 

° C

TSTG

Storage Temperature

 

 

 

- 65 ~ 150

 

 

 

 

° C

Electrical Characteristics TC=25° C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

 

Parameter

 

Test Condition

 

 

Min.

Typ.

 

Max.

 

Units

VCEO(sus)

 

Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

IC = 50mA, IB=0

 

 

300

 

 

 

 

 

V

 

 

: KSE5740

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

: KSE5741

 

 

 

 

350

 

 

 

 

 

V

 

 

: KSE5742

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

V

ICEV

 

Collector Cut-off Current

 

VCEV=Rate Value, VBE(OFF)=1.5V

 

 

 

 

1

 

mA

IEBO

 

Emitter Cut-off Current

 

VEB = 8V, IC= 0

 

 

 

 

 

75

 

mA

hFE

 

DC Current Gain

 

VCE =5V, IC = 0.5A

 

 

50

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE =5V, IC = 4A

 

 

200

400

 

 

 

 

 

VCE(sat)

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC =4A, IB = 0.2A

 

 

 

 

 

2

 

V

 

 

 

 

IC =8A, IB= 0.4A

 

 

 

 

 

3

 

V

VBE(sat)

 

Base-Emitter Saturation Voltage

 

IC =4A, IB = 0.2A

 

 

 

 

 

2.5

 

V

 

 

 

 

IC =8A, IB = 0.4A

 

 

 

 

 

3.5

 

V

VF

 

Diode Forward Voltage

 

IF =5A

 

 

 

 

 

2.5

 

V

tD

 

Delay Time

 

VCC = 250V, IC(pk) = 6A

 

 

 

0.04

 

 

 

 

s

tR

 

Rise Time

 

IB1 = IB2 = 0.25A

 

 

 

0.5

 

 

 

 

s

 

 

 

 

tP = 25 s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tS

 

Storage Time

 

 

 

 

8

 

 

 

 

s

 

 

 

 

Duty Cycle1%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tF

 

Fall Time

 

 

 

 

2

 

 

 

 

s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tSV

 

Voltage Storage Time

 

IC(pk) = 6A, VCE(pk) = 250V

 

 

 

4

 

 

 

 

s

tC

 

Cross-over Time

 

IB1= 0.06A, VBE (off) = 5V

 

 

 

2

 

 

 

 

s

* PW=5ms, Duty Cycle=10%

KSE5740/5741/5742

©2001 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A1, June 2001

Fairchild Semiconductor KSE5742, KSE5741, KSE5740 Datasheet

Typical Characteristics

 

1000

 

 

 

 

 

VCE = 5V

GAIN

 

 

 

, DC CURRENT

100

 

 

 

 

 

FE

 

 

 

h

 

 

 

 

10

1

10

 

0.1

 

 

IC[A], COLLECTOR CURRENT

 

Figure 1. DC current Gain

 

10

 

 

 

 

VCC = 250V

 

 

IC

= 20IB

TIME

 

IB1

= IB2

 

tR

 

1

 

 

ON

0.1

 

 

s],TURN[

tD

 

 

 

 

D

 

 

 

,t

 

 

 

R

 

 

 

t

 

 

 

 

0.01

1

10

 

0.1

 

 

IC[A], COLLECTOR CURRENT

 

Figure 3. Turn On Time

 

100

 

 

 

 

 

 

CURRENT

10

 

 

100

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

DC

 

 

s

 

 

s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COLLECTOR

1

 

 

 

 

1ms

 

 

 

 

 

 

5ms

 

0.1

 

 

 

 

 

 

[A],

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E5740

 

C

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

E5741

 

 

 

 

 

E5742

 

 

0.01

10

 

 

100

1000

 

1

 

 

VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 5. Safe Operating Area

VOLTAGE

10

 

 

IC = 20 IB

SATURATION

VBE(sat)

1

 

 

VCE(sat)

(sat)[V],

0.1

 

CE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(sat), V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BE

 

 

 

 

 

 

V

0.01

 

 

 

 

 

 

0.1

1

10

100

IC[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

10

 

 

 

 

 

VCC

= 250V

tSTG

 

 

IC

= 20IB

 

OFF TIME

IB1

= IB2

 

 

 

 

 

 

 

[ s],TURN

1

 

 

 

 

 

 

 

tF

 

 

 

 

 

 

F

 

 

 

 

 

,t

 

 

 

 

 

STG

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

0.1

 

 

1

10

 

0.1

 

 

 

 

 

 

IC[A], COLLECTOR CURRENT

 

Figure 4. Turn Off Time

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VBE(off)= -5V

 

CURRENT

16

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

[A], COLLECTOR

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

I

4

 

 

E5740

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E5741

 

 

 

 

 

 

E5742

 

 

 

0

100

200

300

400

500

 

0

VCE[V],COLLECTOR EMITTER VOLTAGE

Figure 6. Reverse Bias Safe Operating Area

KSE5740/5741/5742

©2001 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A1, June 2001

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