Siemens SFH309, SFH309-3, SFH309-4, SFH309-5, SFH309-6 Datasheet
...
SFH 309
SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor |
SFH 309 |
Silicon NPN Phototransistor |
SFH 309 FA |
feo06653
feof6653
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
●Hohe Linearität
●3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleichund Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from 380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 FA)
●High linearity
●3 mm LED plastic package
●Available in groups
Applications
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Semiconductor Group |
1 |
01.97 |
SFH 309
SFH 309 FA
Typ |
Bestellnummer |
Typ (*vorher) |
Bestellnummer |
|
Type |
Ordering Code |
Type (*formerly) |
Ordering Codes |
|
|
|
|
|
|
SFH 309 |
Q62702-P859 |
SFH 309 FA |
Q62702-P941 |
|
|
|
(*SFH 309 F) |
|
|
|
|
|
|
|
SFH 309-3 |
Q62702-P997 |
SFH 309 FA-2 |
Q62702-P174 |
|
|
|
(*SFH 309 |
F-2) |
|
|
|
|
|
|
SFH 309-4 |
Q62702-P998 |
SFH 309 FA-3 |
Q62702-P176 |
|
|
|
(*SFH 309 |
F-3) |
|
|
|
|
|
|
SFH 309-5 |
Q62702-P999 |
SFH 309 FA-4 |
Q62702-P178 |
|
|
|
(*SFH 309 |
F-4) |
|
|
|
|
|
|
SFH 309-61) |
Q62702-P1000 |
SFH 309 FA-5 |
Q62702-P180 |
|
|
|
(*SFH 309 |
F-51)) |
|
1)Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung |
Symbol |
Wert |
Einheit |
Description |
Symbol |
Value |
Unit |
|
|
|
|
Betriebsund Lagertemperatur |
Top; Tstg |
– 55 ... + 100 |
°C |
Operating and storage temperature range |
|
|
|
|
|
|
|
Löttemperatur bei Tauchlötung |
TS |
260 |
°C |
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse, |
|
|
|
Lötzeit t £ 5 s |
|
|
|
Dip soldering temperature ³ 2 mm distance |
|
|
|
from case bottom, soldering time t £ 5 s |
|
|
|
|
|
|
|
Löttemperatur bei Kolbenlötung |
TS |
300 |
°C |
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse, |
|
|
|
Lötzeit t £ 3 s |
|
|
|
Iron soldering temperature ³ 2 mm distance |
|
|
|
from case bottom, soldering time t £ 3 s |
|
|
|
|
|
|
|
Kollektor-Emitterspannung |
VCE |
35 |
V |
Collector-emitter voltage |
|
|
|
|
|
|
|
Kollektorstrom |
IC |
15 |
mA |
Collector current |
|
|
|
|
|
|
|
Kollektorspitzenstrom, t < 10 ms |
ICS |
75 |
mA |
Collector surge current |
|
|
|
|
|
|
|
Semiconductor Group |
2 |
|
|
Loading...