Siemens SFH303FA, SFH303FA-2, SFH303FA-3, SFH303FA-4, SFH303 Datasheet
...
SFH 303
SFH 303 FA
NPN-Silizium-Fototransistor |
SFH 303 |
Silicon NPN Phototransistor |
SFH 303 FA |
feo06351
feof6351
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm
(SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA)
●Hohe Linearität
●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Auch gegurtet und gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleichund Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from 450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of 880 nm (SFH 303 FA)
●High linearity
●5 mm LED plastic package
●Also available on tape and in groups
Applications
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Semiconductor Group |
1 |
07.96 |
SFH 303
SFH 303 FA
|
Typ (*vorher) |
Bestellnummer |
Typ (*vorher) |
Bestellnummer |
|
|
Type (*formerly) |
Ordering Code |
Type (*formerly) |
Type (*formerly) |
|
|
|
|
|
|
|
SFH 303 |
Q62702-P957 |
SFH 303 FA |
Q62702-P958 |
||
|
|
|
(*SFH 303 |
F) |
|
|
|
|
|
|
|
SFH 303-2 |
Q62702-P228 |
SFH 303 FA-2) |
Q62702-P222 |
||
|
|
|
(*SFH 303 |
F) |
|
|
|
|
|
|
|
SFH 303-3 |
Q62702-P229 |
SFH 303 FA-3 |
Q62702-P223 |
||
|
|
|
(*SFH 303 |
F-3) |
|
|
|
|
|
||
|
SFH 303-41) |
Q62702-P230 |
SFH 303 FA-4 |
Q62702-P224 |
|
|
|
|
(*SFH 303 |
F-41)) |
|
1)Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung |
Symbol |
Wert |
Einheit |
Description |
Symbol |
Value |
Unit |
|
|
|
|
Betriebsund Lagertemperatur |
Top; Tstg |
– 55 ... + 100 |
°C |
Operating and storage temperature range |
|
|
|
|
|
|
|
Löttemperatur bei Tauchlötung |
TS |
260 |
°C |
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse, |
|
|
|
Lötzeit t £ 5 s |
|
|
|
Dip soldering temperature ³ 2 mm distance |
|
|
|
from case bottom, soldering time t £ 5 s |
|
|
|
|
|
|
|
Löttemperatur bei Kolbenlötung |
TS |
300 |
°C |
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse, |
|
|
|
Lötzeit t £ 3 s |
|
|
|
Iron soldering temperature ³ 2 mm distance |
|
|
|
from case bottom, soldering time t £ 3 s |
|
|
|
|
|
|
|
Kollektor-Emitterspannung |
VCE |
50 |
V |
Collector-emitter voltage |
|
|
|
|
|
|
|
Kollektorstrom |
IC |
50 |
mA |
Collector current |
|
|
|
|
|
|
|
Kollektorspitzenstrom, t < 10 ms |
ICS |
100 |
mA |
Collector surge current |
|
|
|
|
|
|
|
Emitter-Basisspannung |
VEB |
7 |
V |
Emitter-base voltage |
|
|
|
|
|
|
|
Semiconductor Group |
2 |
|
|
Loading...