SFH2030
SFH 2030
SFH 2030 F
Semiconductor Group 442
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95)
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 2030
(*SFH 203)
Q62702-P955 T1
3
/4, klares bzw schwarzes Epoxy-Gieβharz, Löt-
spieβe im 2.54-mm-Raster (
1
/10),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Lötspieβ, flach
am Gehäusebund
transparent and black epoxy resin, solder tab
2.54 mm (
1
/10) lead spacing, cathode marking: short
solder tab, flat at package
SFH 2030 F
(*SFH 203 FA)
Q62702-P956
SFH 2030
SFH 2030 F
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● LWL
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of
880 nm (SFH 2030 F)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
● Fiber optic transmission systems
SFH 2030
SFH 2030 F
Semiconductor Group 443
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
–55 ... +100
o
C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
T
S
300
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
50 V
Verlustleistung
Total power dissipation
P
tot
100 mW
Kennwerte (T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 2030 SFH 2030 F
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
V
R
= 5 V, λ = 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
S
S
80 (≥ 50)
–
–
25 (≥ 15)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
λ 400 ...1100 800 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A 11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L x B
L x W
1x1 1x1 mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm
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