GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) |
SFH 484 |
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) |
SFH 485 |
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Area not flat |
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0.6 |
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9.0 |
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Cathode |
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8.2 |
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5.9 |
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0.4 |
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7.8 |
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2.54 mm |
spacing |
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0.8 |
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0.5 |
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7.5 |
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5.5 |
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ø4.8 |
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ø5.1 |
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0.6 |
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5.1 |
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1.2 |
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0.4 |
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29 |
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Chip position |
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27 |
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GEX06271 |
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Approx. weight 0.5 g |
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Area not flat |
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0.6 |
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9.0 |
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Cathode |
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8.2 |
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5.9 |
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0.4 |
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7.8 |
|
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||||||||||||||||||||
2.54 mm |
spacing |
|
0.8 |
|
|
|
0.5 |
|
|
|
|
7.5 |
|
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ø5.1 |
5.5 |
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ø4.8 |
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1.5 |
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0.6 |
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4.8 |
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4.2 |
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29 |
|
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|
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|
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0.4 |
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Chip position |
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|||||||||||
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27 |
|
|
|
|
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|
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|
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|
|
|
GEX06305 |
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fex06271
fex06305
Wesentliche Merkmale
●Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
●Hohe Zuverlässigkeit
●Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
●SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274
●SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernsehund Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern
●Gerätefernsteuerungen für Gleichund Wechsellichtbetrieb
Features
●Fabricated in a liquid phase epitaxy process
●High reliability
●Spectral match with silicon photodetectors
●SFH 484: Same package as LD 274
●SFH 485: Same package as SFH 300, SFH 203
Applications
●IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers
●Remote control for steady and varying intensity
Semiconductor Group |
1 |
1997-11-01 |
SFH 484
SFH 485
Typ |
|
Bestellnummer |
Gehäuse |
|
|
|
Type |
|
Ordering Code |
Package |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SFH 484 |
|
Q62703-Q1092 |
5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/ ), klares violettes Epoxy- |
|||
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), |
|||
SFH 484-1 |
|
Q62703-Q1755 |
||||
|
Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß |
|||||
|
|
|
||||
SFH 484-2 |
|
Q62703-Q1756 |
||||
|
5 mm LED package (T 1 3/ ), violet-colored epoxy res- |
|||||
|
|
|
|
|
4 |
|
SFH 485 |
|
Q62703-Q1093 |
in, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode |
|||
|
|
|
marking: short lead |
|
|
|
SFH 485-2 |
|
Q62703-Q1547 |
|
|
||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Grenzwerte (TA = 25 °C) |
|
|
|
|
||
Maximum Ratings |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
||
Bezeichnung |
|
Symbol |
Wert |
Einheit |
||
Description |
|
Symbol |
Value |
Unit |
||
|
|
|
|
|
||
Betriebsund Lagertemperatur |
|
Top; Tstg |
– 55 ... + 100 |
°C |
||
Operating and storage temperature range |
|
|
|
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||
|
|
|
|
|
||
Sperrschichttemperatur |
|
Tj |
100 |
°C |
||
Junction temperature |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
||
Sperrspannung |
|
VR |
5 |
V |
||
Reverse voltage |
|
|
|
|
||
|
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|
|
|
||
Durchlaßstrom |
|
IF |
100 |
mA |
||
Forward current |
|
|
|
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||
|
|
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|
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|
|
Stoßstrom, |
tp = 10 μs, D = 0 |
|
IFSM |
2.5 |
A |
|
Surge current |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
||
Verlustleistung |
|
Ptot |
200 |
mW |
||
Power dissipation |
|
|
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|
||
|
|
|
|
|
||
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge |
|
RthJA |
375 |
K/W |
||
max. 10 mm |
|
|
|
|
||
Thermal resistance, lead length between |
|
|
|
|
||
package bottom and PC-board max. 10 mm |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
Semiconductor Group |
2 |
1997-11-01 |