Siemens SFH300, SFH300-2, SFH300-3, SFH300-4, SFH300FA Datasheet

SFH 300

SFH 300 FA

NPN-Silizium-Fototransistor	SFH 300
.
Silicon NPN Phototransistor	SFH 300 FA

feo06652

feof6652

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

●Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300) und bei 880 nm (SFH 300 FA)

●Hohe Linearität

●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

●Gruppiert lieferbar

Anwendungen

●Computer-Blitzlichtgeräte

●Lichtschranken für Gleichund Wechsellichtbetrieb

●Industrieelektronik

●“Messen/Steuern/Regeln”

Features

●Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of 880 nm (SFH 300 FA)

●High linearity

●5 mm LED plastic package

●Available in groups

Applications

●Computer-controlled flashes

●Photointerrupters

●Industrial electronics

●For control and drive circuits

Semiconductor Group

240

10.95

SFH 300

SFH 300 FA

Typ (*vorher)	Bestellnummer	Typ (*vorher)		Bestellnummer
Type (*formerly)	Ordering Code	Type (*formerly)		Ordering Code
SFH 300	Q62702-P1189	SFH 300 FA		Q62702-P1193
(*BP 103 B)		(*BP 103	BF)
SFH 300-2	Q62702-P85-S2	SFH 300 FA-2		Q62702-P1192
(*BP 103 B-2)		(*BP 103	BF-2)
SFH 300-3	Q62702-P85-S3	SFH 300 FA-3		Q62702-P1057
(*BP 103 B-3)		(*BP 103	BF-3)
SFH 300-41)	Q62702-P85-S4	SFH 300 FA-4		Q62702-P1058
(*BP 103 B-4)		(*BP 103	BF-4)

1)Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung	Symbol	Wert	Einheit
Description	Symbol	Value	Unit
Betriebsund Lagertemperatur	Top; Tstg	– 55 ... + 100	°C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung	TS	260	°C
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t £ 5 s
Dip soldering temperature ³ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t £ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung	TS	300	°C
Lötstelle ³ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t £ 3 s
Iron soldering temperature ³ 2 mm distance
from case bottom t £ 3 s
Kollektor-Emitterspannung	VCE	35	V
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom	IC	50	mA
Collector current
Kollektorspitzenstrom, t < 10 ms	ICS	100	mA
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung	VEC	7	V
Emitter-collector voltage
Semiconductor Group	241