Siemens SFH409, SFH409-1, SFH409-2 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter

Area not flat

0.6

0.4

spacing

2.54 mm

Cathode
Anode (SFH 487)

Approx. weight 0.3 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

0.7

0.4

0.8

1.8

1.2
29

27

(SFH 409)

0.4

5.2

4.5

(3.5)
Chip position

6.3

5.9

4.1

3.9

ø3.1

ø2.9

4.0

3.6

0.6

0.4

GEX06250

SFH 409

fex06250

Wesentliche Merkmale

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Gruppiert lieferbar

● Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● IR Fernsteuerungen

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

Features

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● High pulse handling capability

● Available in groups

● Same package as SFH 309, SFH 487

Applications

● Photointerrupters

● IR remote control of various equipment

SFH 409 Q62702-P860 3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, An­SFH 409-1

1)

Q62702-P1001

schlüsse im 2.54-mm-Raster (

1

/10’’),

Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß

SFH 409-2 Q62702-P1002

3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
cathode marking: short lead

1)

Nur auf Anfrage lieferbar.

1)

Available only on request.

Semiconductor Group 1 1997-11-01

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 409

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, τ≤10 µs,

D = 0

Surge current
Verlustleistung

Power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

100 °C

5V

100 mA

3A

165 mW

450 K/W

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

max

I

max

Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 100 m A, tp = 20 ms

F

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

950 nm

∆λ 55 nm

ϕ± 20 Grad

deg.

A

L × B
L

× W

H

0.09 mm

0.3 × 0.3 mm

2.6 mm

2

Kapazität,

V

R

= 0 V

C

o

25 pF

Capacitance

Semiconductor Group 2 1997-11-01