KM48V8004B, KM48V8104B |
CMOS DRAM |
8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
DESCRIPTION
This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -5 or -6), power consumption(Normal or Low power) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This 8Mx8 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung′s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.
FEATURES
•Part Identification
-KM48V8004B/B-L(3.3V, 8K Ref.)
-KM48V8104B/B-L(3.3V, 4K Ref.)
•Active Power Dissipation
|
|
Unit : mW |
Speed |
8K |
4K |
-45 |
360 |
468 |
-5 |
324 |
432 |
-6 |
288 |
396 |
• Refresh Cycles
Part |
Refresh |
Refresh time |
||
NO. |
cycle |
Normal |
L-ver |
|
KM48V8004B* |
8K |
64ms |
128ms |
|
KM48V8104B |
4K |
|||
|
|
•Extended Data Out Mode operation
•CAS-before-RAS refresh capability
•RAS-only and Hidden refresh capability
•Self-refresh capability (L-ver only)
•Fast parallel test mode capability
•LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs
•Early Write or output enable controlled write
•JEDEC Standard pinout
•Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages
•+3.3V±0.3V power supply
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
RAS |
|
|
|
Control |
|
|
|
|
|
|
Vcc |
|||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
CAS |
|
|
Clocks |
|
VBB Generator |
|
|
|
|
Vss |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
W |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
* |
Access mode & RAS only refresh mode |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
: 8K cycle/64ms(Normal), 8K cycle/128ms(L-ver.) |
|
Refresh Timer |
Row Decoder |
|
|
|
||||
|
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode |
|
|
|
|
& I/O |
Data in |
|
|||
|
: 4K cycle/64ms(Normal), 4K cycle/128ms(L-ver.) |
|
Refresh Control |
Memory Array |
Buffer |
DQ0 |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Amps |
|
||
|
Performance Range: |
|
|
|
Refresh Counter |
8,388,608 x 8 |
|
to |
|||
¡Ü |
|
|
|
|
Cells |
Sense |
|
DQ7 |
|||
|
Speed |
tRAC |
tCAC |
tRC |
tHPC |
A0~A12 |
Row Address Buffer |
|
Data out |
OE |
|
|
-45 |
45ns |
12ns |
74ns |
17ns |
(A0~A11)*1 |
|
|
|
Buffer |
|
|
A0~A9 |
Col. Address Buffer |
Column Decoder |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
-5 |
50ns |
13ns |
84ns |
20ns |
(A0~A10)*1 |
|
|
|
|
|
|
-6 |
60ns |
15ns |
104ns |
25ns |
|
Note) *1 : 4K Refresh |
|
|
|
|
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to change products and specifications without notice.
KM48V8004B, KM48V8104B |
CMOS DRAM |
PIN CONFIGURATION (Top Views)
|
|
•KM48V80(1)04BK |
|
|
|
|||||||
|
VCC |
|
|
1 |
¡Û |
32 |
|
|
VSS |
|||
|
|
|
|
|
||||||||
DQ0 |
|
|
2 |
|
31 |
|
|
DQ7 |
||||
|
|
|
|
|||||||||
DQ1 |
|
|
3 |
|
30 |
|
|
DQ6 |
||||
|
|
|
|
|||||||||
DQ2 |
|
|
4 |
|
29 |
|
|
DQ5 |
||||
|
|
|
|
|||||||||
DQ3 |
|
|
5 |
|
28 |
|
|
DQ4 |
||||
|
|
|
|
|||||||||
|
N.C |
|
|
6 |
|
27 |
|
|
VSS |
|||
|
|
|
|
|
||||||||
|
VCC |
|
|
7 |
|
26 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CAS |
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
8 |
|
25 |
|
|
|
|
|
|
|
W |
|
OE |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
9 |
|
24 |
|
|
A12(N.C)* |
||
RAS |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
A0 |
|
|
10 |
|
23 |
|
|
A11 |
|||
|
|
|
|
|
||||||||
|
A1 |
|
|
11 |
|
22 |
|
|
A10 |
|||
|
|
|
|
|
||||||||
|
A2 |
|
|
12 |
|
21 |
|
|
A9 |
|||
|
|
|
|
|
||||||||
|
A3 |
|
|
13 |
|
20 |
|
|
A8 |
|||
|
|
|
|
|
||||||||
|
A4 |
|
|
14 |
|
19 |
|
|
A7 |
|||
|
|
|
|
|
||||||||
|
A5 |
|
|
15 |
|
18 |
|
|
A6 |
|||
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
VCC |
|
|
16 |
|
17 |
|
|
VSS |
|||
|
|
|
|
|
(K : 400mil SOJ)
* (N.C) : N.C for 4K Refresh product
|
|
|
•KM48V80(1)04BS |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VCC |
|
|
|
1 |
¡Û |
32 |
|
VSS |
||||
|
|
|
|
|
|||||||||
DQ0 |
|
|
|
2 |
|
31 |
|
DQ7 |
|||||
DQ1 |
|
|
3 |
|
30 |
|
DQ6 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
DQ2 |
|
|
4 |
|
29 |
|
DQ5 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
DQ3 |
|
|
5 |
|
28 |
|
DQ4 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
N.C |
|
|
6 |
|
27 |
|
VSS |
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
VCC |
|
|
|
7 |
|
26 |
|
|
CAS |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
W |
|
|
|
8 |
|
25 |
|
|
OE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
RAS |
|
|
9 |
|
24 |
|
A12(N.C)* |
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
A0 |
|
|
10 |
23 |
|
A11 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
A1 |
|
|
11 |
22 |
|
A10 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
A2 |
|
|
12 |
21 |
|
A9 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
A3 |
|
|
13 |
20 |
|
A8 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
A4 |
|
|
14 |
19 |
|
A7 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
A5 |
|
|
15 |
18 |
|
A6 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
VCC |
|
|
16 |
17 |
|
VSS |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(S : 400mil TSOP(II))
|
|
|
Pin Name |
Pin Function |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
A0 - A12 |
Address Inputs(8K Product) |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
A0 - A11 |
Address Inputs(4K Product) |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
DQ0 - 7 |
Data In/Out |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
VSS |
Ground |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Row Address Strobe |
|
|
|
|
RAS |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
Column Address Strobe |
|
|
|
|
CAS |
|||||
|
|
|
|
|
|
Read/Write Input |
|
|
|
|
|
W |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Data Output Enable |
|
|
|
|
|
OE |
|||||
|
|
|
VCC |
Power(+3.3V) |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
N.C |
No Connection |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
KM48V8004B, KM48V8104B |
|
|
|
|
CMOS DRAM |
|
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Parameter |
Symbol |
Rating |
|
Units |
||
|
|
|
|
|
|
|
Voltage on any pin relative to VSS |
VIN,VOUT |
-0.5 |
to |
+6.5 |
|
V |
|
|
|
|
|
|
|
Voltage on VCC supply relative to VSS |
VCC |
-0.5 |
to |
+4.6 |
|
V |
|
|
|
|
|
||
Storage Temperature |
Tstg |
-55 to +150 |
|
°C |
||
|
|
|
|
|
|
|
Power Dissipation |
PD |
|
1 |
|
|
W |
|
|
|
|
|
|
|
Short Circuit Output Current |
IOS |
|
50 |
|
|
mA |
|
|
|
|
|
|
|
*Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded. Functional operation should be restricted to the conditions as detailed in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Voltage referenced to Vss, TA= 0 to 70°C)
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Units |
|
|
|
|
|
|
Supply Voltage |
VCC |
3.0 |
3.3 |
3.6 |
V |
|
|
|
|
|
|
Ground |
VSS |
0 |
0 |
0 |
V |
|
|
|
|
|
|
Input High Voltage |
VIH |
2.0 |
- |
+5.5*1 |
V |
Input Low Voltage |
VIL |
-0.3*2 |
- |
0.8 |
V |
*1 : 6.5V at pulse width≤15ns which is measured at VCC *2 : -1.3 at pulse width≤15ns which is measured at VSS
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS (Recommended operating conditions unless otherwise noted.)
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Max |
Units |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Input Leakage Current (Any input 0≤VIN≤VCC+0.3V, |
II(L) |
-5 |
5 |
uA |
|
|
all other pins not under test=0 Volt) |
|||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
Output Leakage Current |
IO(L) |
-5 |
5 |
uA |
|
|
(Data out is disabled, 0V≤VOUT≤VCC) |
|||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
Output High Voltage Level(IOH=-2mA) |
VOH |
2.4 |
- |
V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Output Low Voltage Level(IOL=2mA) |
VOL |
- |
0.4 |
V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
KM48V8004B, KM48V8104B |
|
|
|
CMOS DRAM |
||||
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS (Continued) |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Symbol |
Power |
Speed |
|
|
Max |
|
Units |
|
|
|
|
|
|
||||
|
KM48V8004B |
|
KM48V8104B |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-45 |
|
100 |
|
130 |
|
mA |
ICC1 |
Don′t care |
-5 |
|
90 |
|
120 |
|
mA |
|
|
-6 |
|
80 |
|
110 |
|
mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ICC2 |
Normal |
Don′t care |
|
2 |
|
2 |
|
mA |
L |
|
2 |
|
2 |
|
mA |
||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-45 |
|
100 |
|
130 |
|
mA |
ICC3 |
Don′t care |
-5 |
|
90 |
|
120 |
|
mA |
|
|
-6 |
|
80 |
|
110 |
|
mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-45 |
|
110 |
|
120 |
|
mA |
ICC4 |
Don′t care |
-5 |
|
100 |
|
110 |
|
mA |
|
|
-6 |
|
90 |
|
100 |
|
mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ICC5 |
Normal |
Don′t care |
|
500 |
|
500 |
|
uA |
L |
|
300 |
|
300 |
|
uA |
||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-45 |
|
100 |
|
130 |
|
mA |
ICC6 |
Don′t care |
-5 |
|
90 |
|
120 |
|
mA |
|
|
-6 |
|
80 |
|
110 |
|
mA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ICC7 |
L |
Don′t care |
|
400 |
|
400 |
|
uA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ICCS |
L |
Don′t care |
|
400 |
|
400 |
|
uA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ICC1* : Operating Current (RAS and CAS, Address cycling @tRC=min.)
ICC2 : Standby Current (RAS=CAS=W=VIH)
ICC3* : RAS-only Refresh Current (CAS=VIH, RAS cycling @tRC=min.)
ICC4* : Extended Data Out Mode Current (RAS=VIL, CAS, Address cycling @tHPC=min.)
ICC5 : Standby Current (RAS=CAS=W=VCC-0.2V)
ICC6* : CAS-Before-RAS Refresh Current (RAS and CAS cycling @tRC=min)
ICC7 : Battery back-up current, Average power supply current, Battery back-up mode
Input high voltage(VIH)=VCC-0.2V, Input low voltage(VIL)=0.2V, CAS=CAS-before-RAS cycling or 0.2V
W, OE=VIH, Address=Don′t care, DQ=Open, TRC=31.25us
ICCS : Self Refresh Current
RAS=CAS=0.2V, W=OE=A0 ~ A12(A11)=VCC-0.2V or 0.2V, DQ0 ~ DQ7=VCC-0.2V, 0.2V or Open
*Note : ICC1, ICC3, ICC4 and ICC6 are dependent on output loading and cycle rates. Specified values are obtained with the output open. ICC is specified as an average current. In ICC1, ICC3 and ICC6, address can be changed maximum once while RAS=VIL. In ICC4, address can be changed maximum once within one EDO mode cycle time, tHPC.
|
KM48V8004B, KM48V8104B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CMOS DRAM |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
CAPACITANCE (TA=25°C, VCC=3.3V, f=1MHz) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Parameter |
|
|
|
Symbol |
|
|
|
Min |
|
|
|
|
Max |
|
|
Units |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
Input capacitance [A0 ~ A12] |
|
|
|
|
CIN1 |
|
|
|
- |
|
|
|
|
5 |
|
|
pF |
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Input capacitance |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CIN2 |
|
|
|
- |
|
|
|
|
7 |
|
|
pF |
||||||||
|
[RAS, |
CAS, |
W, |
OE] |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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Output capacitance [DQ0 - DQ7] |
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CDQ |
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- |
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7 |
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pF |
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AC CHARACTERISTICS (0°C≤TA≤70°C, See note 1,2) |
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Test condition : VCC=3.3V±0.3V, Vih/Vil=2.2/0.7V, Voh/Vol=2.0/0.8V |
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Parameter |
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Symbol |
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-45 |
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-5 |
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-6 |
Units |
Note |
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Min |
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Max |
Min |
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Max |
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Min |
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Max |
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Random read or write cycle time |
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ns |
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Read-modify-write cycle time |
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ns |
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Access time from |
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60 |
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RAS |
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Access time from |
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tCAC |
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13 |
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15 |
ns |
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CAS |
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||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Access time from column address |
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tAA |
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23 |
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25 |
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30 |
ns |
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to output in Low-Z |
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3 |
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3 |
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ns |
3 |
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Output buffer turn-off delay from |
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tCEZ |
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3 |
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13 |
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3 |
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13 |
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CAS |
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to output in Low-Z |
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tOLZ |
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3 |
|
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|
3 |
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ns |
3 |
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OE |
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|
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|
|
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Transition time (rise and fall) |
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tT |
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1 |
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1 |
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50 |
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1 |
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50 |
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2 |
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RAS |
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|
|
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hold time |
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8 |
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ns |
|
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RAS |
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|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
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hold time |
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ns |
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|||||||||||||||||||||
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CAS |
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|
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pulse width |
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10 |
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10K |
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|
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CAS |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
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to |
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delay time |
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tRCD |
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11 |
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4 |
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RAS |
CAS |
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|
|
|
|
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to column address delay time |
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tRAD |
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22 |
9 |
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25 |
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12 |
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30 |
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10 |
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RAS |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
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to |
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precharge time |
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tCRP |
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|
5 |
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|
|
5 |
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ns |
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|||||||||||||||||||
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CAS |
RAS |
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|
|
|
|
|
|
|
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tASR |
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0 |
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0 |
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ns |
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Row address hold time |
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tRAH |
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|
7 |
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ns |
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|
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Column address set-up time |
|
tASC |
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0 |
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0 |
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ns |
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7 |
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ns |
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||||||||||||||||||||||||
|
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Column address to |
|
|
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lead time |
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tRAL |
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|
|
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25 |
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|
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ns |
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|
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RAS |
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|
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|
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0 |
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0 |
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ns |
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Read command hold time referenced to |
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tRCH |
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0 |
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0 |
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ns |
8 |
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|||||||||||||||||||||||||||||||||
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Read command hold time referenced to |
|
|
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0 |
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0 |
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ns |
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RAS |
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|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
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7 |
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|
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ns |
|
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|
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Write command pulse width |
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7 |
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10 |
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ns |
|
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|
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Write command to |
|
|
|
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lead time |
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8 |
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|
|
8 |
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|
|
10 |
|
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ns |
|
|||||||||||||||||||
|
|
RAS |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Write command to |
|
|
|
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lead time |
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tCWL |
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7 |
|
|
|
7 |
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|
|
10 |
|
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ns |
|
|||||||||||||||||||
|
|
CAS |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
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Data set-up time |
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tDS |
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0 |
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|
|
0 |
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0 |
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ns |
9 |
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|
|
|
KM48V8004B, KM48V8104B |
|
|
|
|
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CMOS DRAM |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
AC CHARACTERISTICS (Continued) |
|
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|
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|
|
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|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Parameter |
Symbol |
-45 |
|
|
-5 |
|
-6 |
Units |
Note |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
Min |
|
Max |
Min |
|
Max |
Min |
|
Max |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
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||||||
|
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|
|
|
|
|
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|
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|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Data hold time |
tDH |
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7 |
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10 |
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ns |
9 |
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|
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Refresh period (Normal) |
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64 |
|
|
64 |
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|
64 |
ms |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
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Refresh period (L-ver) |
tREF |
|
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128 |
|
|
128 |
|
|
128 |
ms |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
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Write command set-up time |
tWCS |
0 |
|
|
0 |
|
|
0 |
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ns |
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||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
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to |
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delay time |
tCWD |
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27 |
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32 |
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ns |
7 |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
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W |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
to |
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delay time |
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|
64 |
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77 |
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ns |
7 |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RAS |
W |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Column address to |
|
|
|
|
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delay time |
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|
|
W |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
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set-up time |
|
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-before- |
|
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5 |
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5 |
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|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
CAS |
(CAS |
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|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
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hold time |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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-before- |
|
|
|
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refresh) |
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|
|
10 |
|
|
10 |
|
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|
|
||||||||||||||||||||||||
|
|
CAS |
(CAS |
RAS |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
to |
|
|
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precharge time |
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|
|
5 |
|
|
5 |
|
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ns |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RAS |
CAS |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
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Access time from |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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precharge |
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|
|
28 |
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3 |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CAS |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Hyper Page cycle time |
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|
|
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|
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ns |
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|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
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Hyper Page read-modify-write cycle time |
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|
|
47 |
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56 |
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ns |
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|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
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|
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|
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|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CAS |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
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200K |
60 |
|
200K |
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|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RAS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
hold time from |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
precharge |
tRHCP |
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|
|
30 |
|
|
35 |
|
|
ns |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RAS |
CAS |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
access time |
tOEA |
|
|
12 |
|
|
13 |
|
|
15 |
ns |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
OE |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
to data delay |
tOED |
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|
|
10 |
|
|
13 |
|
|
ns |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
OE |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
precharge to |
|
|
|
|
|
|
delay time |
tCPWD |
36 |
|
|
41 |
|
|
52 |
|
|
ns |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CAS |
W |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Output buffer turn off delay time from |
|
|
tOEZ |
3 |
|
11 |
3 |
|
13 |
3 |
|
13 |
ns |
6 |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
OE |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
command hold time |
tOEH |
5 |
|
|
5 |
|
|
5 |
|
|
ns |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
OE |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Write command set-up time (Test mode in) |
tWTS |
10 |
|
|
10 |
|
|
10 |
|
|
ns |
11 |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Write command hold time (Test mode in) |
tWTH |
10 |
|
|
10 |
|
|
10 |
|
|
ns |
11 |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
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to |
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|
|
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|
|
|
|
|
tWRP |
10 |
|
|
10 |
|
|
10 |
|
|
ns |
|
|
||||
|
|
W |
RAS |
precharge time (C |
-B-R refresh) |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
to |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-B- |
|
|
|
|
refresh) |
tWRH |
10 |
|
|
10 |
|
|
10 |
|
|
ns |
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
W |
RAS |
hold time (C |
R |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Output data hold time |
tDOH |
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|
|
5 |
|
|
5 |
|
|
ns |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Output buffer turn off delay from |
|
|
|
|
|
|
tREZ |
3 |
|
13 |
3 |
|
13 |
3 |
|
13 |
ns |
6,14 |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RAS |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Output buffer turn off delay from |
|
|
|
|
tWEZ |
3 |
|
13 |
3 |
|
13 |
3 |
|
13 |
ns |
6 |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
to data delay |
tWED |
8 |
|
|
15 |
|
|
15 |
|
|
ns |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
to |
|
|
|
hold time |
tOCH |
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|
|
5 |
|
|
5 |
|
|
ns |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
OE |
CAS |
|
|
|
|
|
|
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|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
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|
hold time to |
|
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|
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|
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|
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|
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tCHO |
5 |
|
|
5 |
|
|
5 |
|
|
ns |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CAS |
OE |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
precharge time |
tOEP |
5 |
|
|
5 |
|
|
5 |
|
|
ns |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
OE |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
pulse width (Hyper Page Cycle) |
tWPE |
5 |
|
|
5 |
|
|
5 |
|
|
ns |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
W |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-B- |
|
|
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self refresh) |
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100 |
|
|
100 |
|
|
100 |
|
|
us |
15,16,17 |
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
RAS |
pulse width (C |
R |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
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|
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|
|
|
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|
|
|
|
-B- |
|
|
|
self refresh) |
tRPS |
74 |
|
|
90 |
|
|
110 |
|
|
ns |
15,16,17 |
|
|||||||||||||||
|
|
RAS |
precharge time (C |
R |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
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-50 |
|
|
-50 |
|
|
-50 |
|
|
ns |
15,16,17 |
|
|
|
CAS |
hold time (C |
-B-R self refresh) |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
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|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
KM48V8004B, KM48V8104B |
|
|
|
|
|
|
|
|
CMOS DRAM |
||||||||||||||||
TEST MODE CYCLE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
( Note 11 ) |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
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|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
Parameter |
Symbol |
-45 |
|
|
-5 |
|
-6 |
Units |
Note |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Min |
|
Max |
Min |
|
Max |
Min |
|
Max |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
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||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
Random read or write cycle time |
tRC |
79 |
|
|
89 |
|
|
109 |
|
|
ns |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
Read-modify-write cycle time |
tRWC |
110 |
|
|
121 |
|
|
145 |
|
|
ns |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
Access time from |
|
|
|
|
|
|
tRAC |
|
|
50 |
|
|
55 |
|
|
65 |
ns |
3,4,10,12 |
||||||
RAS |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
Access time from |
|
|
|
|
|
|
tCAC |
|
|
17 |
|
|
18 |
|
|
20 |
ns |
3,4,5,12 |
||||||
CAS |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
Access time from column address |
tAA |
|
|
28 |
|
|
30 |
|
|
35 |
ns |
3,10,12 |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
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pulse width |
tRAS |
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|
10K |
55 |
|
10K |
65 |
|
10K |
ns |
|
||||||||
|
RAS |
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
pulse width |
tCAS |
12 |
|
10K |
13 |
|
10K |
15 |
|
10K |
ns |
|
||||||||
|
CAS |
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
hold time |
tRSH |
18 |
|
|
18 |
|
|
20 |
|
|
ns |
|
||||||||
|
RAS |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
hold time |
tCSH |
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|
|
43 |
|
|
50 |
|
|
ns |
|
||||||||
|
CAS |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
Column Address to |
|
|
|
lead time |
tRAL |
28 |
|
|
30 |
|
|
35 |
|
|
ns |
|
||||||||
|
RAS |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
to |
|
delay time |
tCWD |
29 |
|
|
35 |
|
|
39 |
|
|
ns |
7 |
|||||||
|
CAS |
W |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
to |
|
delay time |
tRWD |
62 |
|
|
72 |
|
|
84 |
|
|
ns |
7 |
||||||
|
RAS |
W |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
Column Address to |
|
delay time |
tAWD |
40 |
|
|
47 |
|
|
54 |
|
|
ns |
7 |
||||||||||
|
W |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
Hyper Page cycle time |
tHPC |
22 |
|
|
25 |
|
|
30 |
|
|
ns |
13 |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
Hyper Page read-modify-write cycle time |
tHPRWC |
52 |
|
|
53 |
|
|
61 |
|
|
ns |
13 |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
pulse width (Hyper page cycle) |
tRASP |
50 |
|
200K |
55 |
|
200K |
65 |
|
200K |
ns |
|
||||||||
|
RAS |
|
|||||||||||||||||||||||
|
Access time from |
|
|
|
precharge |
tCPA |
|
|
29 |
|
|
33 |
|
|
40 |
ns |
3 |
||||||||
|
CAS |
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
access time |
tOEA |
|
|
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|
|
18 |
|
|
20 |
ns |
|
||||||||||
|
OE |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
to data delay |
tOED |
13 |
|
|
18 |
|
|
20 |
|
|
ns |
|
||||||||||
|
OE |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
command hold time |
tOEH |
13 |
|
|
18 |
|
|
20 |
|
|
ns |
|
||||||||||
|
OE |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
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