FAGOR FS0204DN, FS0204BN, FS0203NN, FS0203MN, FS0204NN Datasheet

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0 (0)
FAGOR FS0204DN, FS0204BN, FS0203NN, FS0203MN, FS0204NN Datasheet

FS02...N

SURFACEMOUNTSCR

SOT223

(Plastic)

On-State Current

Gate Trigger Current

1.25 Amp

< 200 µA

Off-State Voltage

200 V ÷ 800 V

These series of Silicon Controlled

R ectifier use a high performance

PNPN technology.

These parts are intended for general purpose applications where high gate sensitivity is required using surface mount technology.

AbsoluteMaximumRatings,accordingtoIECpublicationNo.134

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Min.

Max.

Unit

 

 

 

 

 

 

IT(RMS)

On-state Current*

Half Cycle, Θ = 180 º, Ttab = 95 ºC

1.25

 

A

IT(AV)

Average On-state Current*

Half Cycle, Θ = 180 º, Ttab = 95 ºC

0.8

 

A

ITSM

Non-repetitive On-State Current

Half Cycle, 60 Hz, Tj = 25 ºC

25

 

A

ITSM

Non-repetitive On-State Current

Half Cycle, 50 Hz, Tj = 25 ºC

22.5

 

A

I2t

Fusing Current

tp = 10ms, Half Cycle

2.5

 

A2s

VGRM

Peak Reverse Gate Voltage

IGR = 10 µA, Tj = 25 ºC

8

 

V

IGM

Peak Gate Current

20 µs max.

 

1.2

A

 

 

 

 

 

 

PGM

Peak Gate Dissipation

20 µs max.

 

3

W

PG(AV)

Gate Dissipation

20 ms max.

 

0.2

W

 

 

 

 

 

 

Tj

Operating Temperature

 

-40

+125

ºC

Tstg

Storage Temperature

 

-40

+150

ºC

 

 

 

 

 

 

Tsld

Soldering Temperature

10s max.

 

260

ºC

* with 5 cm2 copper (e= 35μm) surface under tab.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

 

VOLTAGE

 

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

D

M

N

 

VDRM

Repetitive Peak Off State

RGK = 1 KΩ

200

400

600

800

V

VRRM

Voltage

 

 

 

 

 

 

Jun - 02

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FS02...N

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SURFACE

 

 

MOUNT

 

 

SCR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Electrical Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SYMBOL

 

PARAMETER

 

CONDITIONS

 

 

 

 

SENSITIVITY

 

 

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

01

04

 

02

 

03

 

 

 

 

 

 

 

IGT

Gate Trigger Current

 

 

Ω

, Tj = 25 ºC

MIN

 

1

15

 

 

 

20

µA

 

 

 

 

 

VD = 12 VDC , RL = 140

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MAX

 

20

50

 

200

 

200

 

 

 

 

 

 

 

IDRM / IRRM

Off-State Leakage Current

 

 

Ω

Tj = 125 ºC

MAX

 

 

 

 

500

 

 

 

 

µA

 

 

VD = VDRM , RGK = 1K ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VR = VRRM ,

Tj = 25 ºC

MAX

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VTM

On-state Voltage

at IT = 1.6 Amp, tp = 380 µs, Tj = 25 ºC

MAX

 

 

 

 

1.45

 

 

 

 

 

V

 

 

VT(O)

On-state Threshold Voltage

Tj = 125 ºC

 

MAX

 

 

 

 

0.9

 

 

 

 

 

V

 

 

rd

Dinamic Resistance

Tj = 125 ºC

 

MAX

 

 

 

 

150

 

 

 

mΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGT

Gate Trigger Voltage

 

 

Ω

, Tj = 25 ºC

MAX

 

 

 

 

0.8

 

 

 

 

 

V

 

 

VD = 12 VDC , RL = 140

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGD

Gate Non Trigger Voltage

VD = VDRM , RL = 3.3KΩ,

RGK = 1KΩ,

MIN

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

Tj = 125 ºC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IH

Holding Current

 

 

Ω

 

MAX

 

 

 

 

5

 

 

 

 

mA

 

 

 

 

IT = 50 mA , RGK = 1K , Tj = 25 ºC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IL

Latching Current

 

 

Ω

 

MAX

 

 

 

 

6

 

 

 

 

mA

 

 

 

 

IG = 1 mA , RGK = 1K , Tj = 25 ºC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dv / dt

Critical Rate of Voltage

VD = 0.67 x VDRM , RGK = 1KΩ,

MIN

 

15

15

 

10

 

20

 

V/µs

 

 

 

Rise

Tj = 125 ºC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

di / dt

Critical Rate of Current Rise

IG = 2 x IGT Tr 100 ns, F = 60 Hz,

MIN

 

 

 

 

50

 

 

 

A/µs

 

 

 

 

 

 

Tj = 125 ºC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rth(j-l)

Thermal Resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

 

ºC/W

 

 

 

Junction-Leads for DC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rth(j-a)

Thermal Resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60

 

 

 

ºC/W

 

 

 

Junction-Ambient

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARTNUMBERINFORMATION

 

 

F S 02

01 B N 00 RB

FAGOR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PACKAGING

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SCR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FORMING

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CASE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CURRENT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VOLTAGE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SENSITIVITY

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Jun - 02

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