BSM50GD120DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GD120DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 80 °C I
C,nom.
50 A
DC-collector current
T
C
= 25 °C I
C
85 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C I
CRM
100 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor P
tot
350 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
50 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms I
FRM
100 A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
430
A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
I
C
= 50A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C V
CE sat
- 2,1 2,6 V
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 50A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
- 2,4 2,9 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 2mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C V
GE(th)
4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V...+15V Q
G
- 0,53 - µC
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V C
ies
- 3,3 - nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V C
res
- 0,21 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C I
CES
-284µA
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
- 200 - µA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C I
GES
- - 400 nA
prepared by: Mark Münzer date of publication: 2006-01-31
approved by: M. Hierholzer revision: 4
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GD120DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
I
C
= 50A, V
CC
= 600V
turn on delay time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 25°C t
d,on
- 0,05 - µs
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C
- 0,06 - µs
Anstiegszeit (induktive Last)
I
C
= 50A, V
CC
= 600V
rise time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 25°C t
r
- 0,05 - µs
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C
- 0,05 - µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
I
C
= 50A, V
CC
= 600V
turn off delay time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 25°C t
d,off
- 0,25 - µs
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C
- 0,3 - µs
Fallzeit (induktive Last)
I
C
= 50A, V
CC
= 600V
fall time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 25°C t
f
- 0,03 - µs
V
GE
= ±15V, R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C
- 0,07 - µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
I
C
= 50A, V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
turn-on energy loss per pulse
R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C, L
S
= 120nH E
on
- 6,4 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
I
C
= 50A, V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
turn-off energy loss per pulse
R
G
= 15Ω, T
vj
= 125°C, L
S
= 120nH E
off
- 6,2 - mWs
Kurzschlußverhalten
t
P
≤ 10µsec, V
GE
≤ 15V, R
G
= 15Ω
SC Data
T
Vj
≤125°C, V
CC
=900V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·dI/dt I
SC
- 400 - A
Modulinduktivität
stray inductance module
L
sCE
- 60 - nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip
module lead resistance, terminals – chip
T
C
=25°C R
CC‘+EE‘
- 4,4 - mΩ
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min. typ. max.
Durchlaßspannung
I
F
= 50A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C V
F
- 1,8 2,3 V
forward voltage
I
F
= 50A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
- 1,7 2,2 V
Rückstromspitze
I
F
= 50A, - di
F
/dt = 1300A/µsec
peak reverse recovery current
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C I
RM
-52-A
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
-66-A
Sperrverzögerungsladung
I
F
= 50A, - di
F
/dt = 1300A/µsec
recovered charge
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C Q
r
- 5,1 - µAs
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
- 10,7 - µAs
Abschaltenergie pro Puls
I
F
= 50A, - di
F
/dt = 1300A/µsec
reverse recovery energy
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C E
rec
- 1,9 - mWs
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
- 4 - mWs
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GD120DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand
Transistor / transistor, DC
R
thJC
- - 0,35 K/W
thermal resistance, junction to case
Diode/Diode, DC - - 0,7 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m * K / λ
grease
= 1 W/m * K
R
thCK
- 0,02 - K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
- - 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40 - 150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AL
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
M1 3 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminals M6 M2 Nm
terminal connection torque
Gewicht
weight
G 180 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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