Diodes DDTB113EC, DDTB113ZC, DDTB114EC, DDTB114GC, DDTB114TC Schematic [ru]

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0 (0)
Diodes DDTB113EC, DDTB113ZC, DDTB114EC, DDTB114GC, DDTB114TC Schematic

NEW PRODUCT

DDTB (xxxx) C

PNP PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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Features

Epitaxial Planar Die Construction

 

A

 

Complementary NPN Types Available (DDTD)

 

 

 

 

 

Built-In Biasing Resistors, R1, R2

 

 

 

Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant

TOP VIEW

B

C

 

"Green" Device (Notes 2 and 3)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Mechanical Data

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G

 

 

 

 

 

 

 

 

Case: SOT-23

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Classification Rating 94V-0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Terminal Connections: See Diagram

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe)

Marking Information: See Table Below & Page 3

Ordering Information: See Page 3

Weight: 0.008 grams (approximate)

 

K

J

L

 

OUT

 

 

SOT-23

 

 

Dim

Min

Max

 

A

0.37

0.51

 

B

1.20

1.40

 

C

2.30

2.50

 

D

0.89

1.03

 

E

0.45

0.60

M

G

1.78

2.05

H

2.80

3.00

 

J

0.013

0.10

 

K

0.903

1.10

 

L

0.45

0.61

 

M

0.085

0.180

 

α

 

All Dimensions in mm

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

P/N

R1 (NOM)

R2 (NOM)

Type Code

 

 

 

 

C

 

 

 

 

DDTB113EC

1K

1K

P60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123EC

2.2K

2.2K

P61

 

B

R1

 

 

 

 

 

 

DDTB143EC

4.7K

4.7K

P62

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB114EC

10K

10K

P63

 

 

 

 

 

R2

 

DDTB122JC

0.22K

4.7K

P64

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113ZC

1K

10K

P65

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123YC

2.2K

10K

P66

1

2

DDTB133HC

3.3K

10K

P67

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123TC

2.2K

OPEN

P69

IN

 

 

 

GND(+)

DDTB143TC

4.7K

OPEN

P70

Schematic and Pin Configuration

DDTB114TC

10K

OPEN

P71

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB114GC

0

10K

P72

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified

 

Characteristic

 

Symbol

Value

Unit

Supply Voltage, (3) to (2)

 

VCC

-50

V

 

 

 

 

 

Input Voltage, (1) to (2)

DDTB113EC

 

+10 to -10

 

 

 

DDTB123EC

 

+10 to -12

 

 

 

DDTB143EC

 

+10 to -30

 

 

 

DDTB114EC

VIN

+10 to -40

V

 

 

DDTB122JC

+5 to -5

 

 

 

 

 

 

DDTB113ZC

 

+5 to -10

 

 

 

DDTB123YC

 

+5 to -12

 

 

 

DDTB133HC

 

+6 to -20

 

Input Voltage, (1) to (2)

DDTB123TC

 

 

 

 

 

DDTB143TC

VEBO (MAX)

-5

V

 

 

DDTB114TC

 

 

 

 

 

 

 

DDTB114GC

 

 

 

Output Current

All

IC

-500

mA

Power Dissipation

 

PD

200

mW

 

 

 

 

 

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

(Note 1)

RθJA

625

°

 

 

 

 

C/W

Operating and Storage Temperature Range

 

TJ, TSTG

-55 to +150

°C

Notes:

1. Mounted on FR4 PC Board with recommended pad layout at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

 

2.No purposefully added lead. Halogen and Antimony Free.

3.Product manufactured with Data Code V9 (week 33, 2008) and newer are built with Green Molding Compound. Product manufactured prior to Date Code V9 are built with Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.

DS30385 Rev. 7 - 2

1 of 3

DDTB (xxxx) C

 

www.diodes.com

© Diodes Incorporated

 

 

NEW PRODUCT

 

Electrical Characteristics

@TA = 25°C unless otherwise specified

 

 

 

 

 

R1, R2 Types

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Characteristic

 

Symbol

Min

 

 

Typ

 

 

Max

 

Unit

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113EC

 

-0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123EC

 

-0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB143EC

 

-0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB114EC

Vl(off)

-0.5

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

DDTB122JC

-0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113ZC

 

-0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123YC

 

-0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input Voltage

 

DDTB133HC

 

-0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113EC

 

 

 

 

 

-3.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123EC

 

 

 

 

 

-3.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB143EC

 

 

 

 

 

-3.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB114EC

Vl(on)

 

 

 

 

-3.0

 

V

 

 

 

 

 

 

 

DDTB122JC

 

 

-3.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113ZC

 

 

 

 

 

-2.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123YC

 

 

 

 

 

-2.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB133HC

 

 

 

 

 

-2.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output Voltage

 

 

VO(on)

 

 

 

 

-0.3V

 

V

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113EC

 

 

 

 

 

-7.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123EC

 

 

 

 

 

-3.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB143EC

 

 

 

 

 

-1.8

 

 

 

 

 

 

Input Current

 

DDTB114EC

Il

 

 

 

 

-0.88

 

mA

 

 

 

 

 

 

 

DDTB122JC

 

 

 

 

 

-28

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113ZC

 

 

 

 

 

-7.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123YC

 

 

 

 

 

-3.6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB133HC

 

 

 

 

 

-2.4

 

 

 

 

 

 

Output Current

 

 

IO(off)

 

 

 

 

-0.5

 

μA

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113EC

 

33

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123EC

 

39

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB143EC

 

47

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current Gain

 

DDTB114EC

Gl

56

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB122JC

47

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB113ZC

 

56

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123YC

 

56

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB133HC

 

56

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain-Bandwidth Product*

 

 

fT

 

 

 

200

 

 

 

 

MHz

 

 

 

 

* Transistor - For Reference Only

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Electrical Characteristics

@TA = 25°C unless otherwise specified

 

 

 

R1-Only, R2-Only Types

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Characteristic

 

Symbol

Min

 

Typ

 

 

Max

 

Unit

 

Test Condition

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Breakdown Voltage

 

BVCBO

-50

 

 

 

 

 

 

 

V

 

IC = -50μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter Breakdown Voltage

 

BVCEO

-40

 

 

 

 

 

 

 

V

 

IC = -1mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base Breakdown Voltage

DDTB123TC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IE = -50μA

 

 

 

 

 

DDTB143TC

BVEBO

-5

 

 

 

 

 

 

 

V

 

IE = -50μA

 

 

 

 

 

DDTB114TC

 

 

 

 

 

 

IE = -50μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB114GC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IE = -720μA

 

 

Collector Cutoff Current

 

ICBO

 

 

 

 

 

 

-0.5

 

μA

 

VCB = -50V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123TC

 

 

 

 

 

 

 

-0.5

 

 

 

 

 

 

Emitter Cutoff Current

 

 

DDTB143TC

IEBO

 

 

 

 

-0.5

 

μA

 

VEB = -4V

 

 

 

DDTB114TC

 

 

 

-0.5

 

 

 

 

 

 

 

DDTB114GC

 

-300

 

 

 

 

-580

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

VCE(sat)

 

 

 

 

 

 

-0.3

 

V

 

IC = -50mA, IB = -2.5mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DDTB123TC

 

100

 

 

250

 

 

600

 

 

 

 

 

 

DC Current Transfer Ratio

 

 

DDTB143TC

hFE

100

 

 

250

 

600

 

 

 

IC = -5mA, VCE = -5V

 

 

 

DDTB114TC

100

 

 

250

 

600

 

 

 

 

 

 

 

DDTB114GC

 

56

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain-Bandwidth Product*

 

 

fT

 

 

 

200

 

 

 

 

MHz

 

VCE = -10V, IE = 5mA, f = 100MHz

 

* Transistor - For Reference Only

DS30385 Rev. 7 - 2

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DDTB (xxxx) C

 

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