Siemens LY5436-TO, LO5436-TO, LS5436-SO, LA5436-TO Datasheet

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Siemens LY5436-TO, LO5436-TO, LS5436-SO, LA5436-TO Datasheet

Hyper 5 mm (T1) LED, Non Diffused

LS 5436, LA 5436, LO 5436

Hyper-Bright LED

LY 5436

Besondere Merkmale

eingefärbtes, diffuses Gehäuse

zur Einkopplung in Lichtleiter

als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene

gegurtet lieferbar

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

colored, diffused package

optical coupling into light pipes

for use as optical indicator

solder leads with stand-off

available taped on reel

load dump resistant acc. to DIN 40839

Typ

Emissionsfarbe

Gehäusefarbe

Lichtstärke

Bestellnummer

Type

Color of

Color of

Luminous

Ordering Code

 

Emission

Package

Intensity

 

 

 

 

IF = 20 mA

 

 

 

 

IV (mcd)

 

 

 

 

 

 

LS 5436-SO

super-red

colorless clear

160 (350 typ.)

Q62703-Q3626

 

 

 

 

 

LA 5436-TO

amber

colorless clear

250 (500 typ.)

Q62703-Q3919

 

 

 

 

 

LO 5436-TO

orange

colorless clear

250 (500 typ.)

Q62703-Q3628

 

 

 

 

 

LY 5436-TO

yellow

colorless clear

250 (500 typ.)

Q62703-Q3630

 

 

 

 

 

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 2.0.

Semiconductor Group

1

1998-09-18

LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Symbol

 

Werte

Einheit

Parameter

Symbol

 

Values

Unit

 

 

 

 

 

 

LS, LO, LA

LY

 

 

 

 

 

 

 

Betriebstemperatur

Top

55 ... + 100

˚C

Operating temperature range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Lagertemperatur

Tstg

55 ... + 100

˚C

Storage temperature range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sperrschichttemperatur

Tj

 

+ 100

˚C

Junction temperature

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Durchlaßstrom

IF

30

 

20

mA

Forward current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Stoßstrom

IFM

1

 

0.2

A

Surge current

 

 

 

 

 

t 10 s, D = 0.005

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sperrspanung1)

VR

 

3

V

Reverse voltage1)

 

 

 

 

 

Verlustleistung

Ptot

80

 

55

mW

Power dissipation

 

 

 

 

 

TA 25 ˚C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Wärmewiderstand

Rth JA

 

500

K/W

Thermal resistance

 

 

 

 

 

Sperrschicht / Umgebung

 

 

 

 

 

Junction / air

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1) Reverse biasing should be avoided.

Semiconductor Group

2

1998-09-18

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