LWT676-N1
Semiconductor Group 1 1998-11-05
LW T676
Hyper TOPLED
®
White LED
Vorläufige Daten / Preliminary Data
VPL06724
Besondere Merkmale
• GaN-Technologie
• Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931
• Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler (120°)
• ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7
• JEDEC Level 2
• weißes SMT-Gehäuse
• Für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
• Gegurtet in 8 mm-Filmgurt
Features
• GaN technology
• color: white x = 0.30, y = 0.32 according to CIE1931
• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
• ESD withstand voltage of 2 kV
according to MIL STD 883D, Method 3015.7
• JEDEC Level 2
• white colored SMT package
• suitable for all SMT assembly and soldering methods
• available on 8 mm tape reels
Anwendungen
• Innenbeleuchtungen und Hinterleuchtungen im Automobilbereich
• Anzeigen im Innen und Außenbereich
• LCD-Hinterleuchtungen
• Schalter-Hinterleuchtungen
• Batterie-Taschenlampen
• Notausgangsbeleuchtungen
• Leselampen
• Sehr gute Alternative zur Glühlampe
Applications
• illumunations and backlighting for interior automotive applications
• indoor and outdoor message boards
• LCD backlighting
• switch backlighting
• battery torches
• emergency exit illuminations
• lamps for reading purposes
• very good alternative to incandescent lamps
LW T676
Semiconductor Group 2 1998-11-05
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
V max
/ I
V min
≤ 1.6.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/ I
V min
≤ 1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
Φ
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LW T676
LW T676-L2
LW T676-M1
LW T676-M2
LW T676-N1
white colored diffused
12.5 ... 20.0
16.0 ... 25.0
20.0 ... 32.0
25.0 ... 40.0
50 (typ.)
60 (typ.)
80 (typ.)
100 (typ.))
Q62703-Q4450
LW T676
Semiconductor Group 3 1998-11-05
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
– 40 ... + 100 °C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
– 40 ... + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100 °C
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
20 mA
Sperrspanung
1)
Reverse voltage
1)
V
R
5V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤ 25 °C
P
tot
90 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
)
(Padgröße ≥ 16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size ≥ 16 mm
2
)
R
th JA
500 K/W
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
*
)
PC-board: FR4
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