HIT BB302C Datasheet

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BB302C

Build in Biasing Circuit MOS FET IC

VHF RF Amplifier

ADE-208-573 A (Z) 2nd. Edition September 1997

Features

Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

Low noise characteristics;

(NF = 1.7 dB typ. at f = 200 MHz)

Withstanding to ESD;

Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 240V at C=200pF, Rs=0 conditions.

Provide mini mold packages; CMPAK-4(SOT-343mod)

Outline

CMPAK-4

2

3

1

4 1. Source

2. Gate1

3. Gate2

4. Drain

Note 1 Marking is “BW–”.

Note 2 BB302C is individual type number of HITACHI BBFET.

BB302C

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDS

12

V

Gate1 to source voltage

VG1S

+10

V

 

 

– 0

 

 

 

 

 

Gate2 to source voltage

VG2S

±10

V

Drain current

ID

25

mA

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

100

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

 

Test Conditions

Drain to source breakdown

V(BR)DSS

12

V

I

D = 200µA

voltage

 

 

 

 

 

 

VG1S = VG2S = 0

Gate1 to source breakdown

V(BR)G1SS

+10

V

I

G1 = +10µA

voltage

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source breakdown

V(BR)G2SS

±10

V

I

G2 = ±10µA

voltage

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

+100

nA

V

G1S = +9V

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

±100

nA

 

VG2S = ±9V

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff voltage VG1S(off)

0.4

1.0

V

V DS = 9V, VG2S = 6V

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff voltage VG2S(off)

0.4

1.0

V

V DS = 9V, VG1S = 9V

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain current

ID(op)

9

13

18

mA

 

VDS = 9V, VG1 = 9V

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 6V

 

 

 

 

 

 

 

RG = 120kΩ

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

15

20

mS

V DS = 9V, VG1 = 9V

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

RG = 120kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

ciss

2.2

3.0

4.0

pF

 

VDS = 9V, VG1 = 9V

Output capacitance

coss

0.8

1.1

1.5

pF

 

VG2S =6V, RG = 120kΩ

Reverse transfer capacitance

crss

0.017

0.04

pF

f = 1MHz

Power gain

PG

22

26

dB

V DS = 9V, VG1 = 9V

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

1.7

2.2

dB

R G = 120kΩ

 

 

 

 

 

 

 

f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

BB302C

Main Characteristics

Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)

VG2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G

 

 

 

 

 

 

 

Gate 2

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

Source

 

 

A

I D

Application Circuit

 

 

VAGC = 6 to 0.3 V

V DS = 9

V

BBFET

RFC

Output

 

 

Input

 

 

R G

 

 

V GG = 9 V

 

 

HIT BB302C Datasheet

BB302C

Channel Power Dissipation Pch (mW)

Maximum Channel Power

Dissipation Curve

200

150

100

50

0

50

100

150

200

Ambient Temperature Ta (°C)

Drain Current I D (mA)

Typical Output Characteristics

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V G1

= VDS

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

56

 

 

k

Ω

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

68

 

82

k

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

120

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

180

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

220

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=270

k

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

4

6

 

 

 

 

8

 

 

10

 

 

Drain to Source Voltage

 

 

VDS (V)

Drain Current I D (mA)

25

20

15

10

5

0

Drain Current vs.

 

Gate2 to Source Voltage

Drain Current vs. Gate1 Voltage

 

 

 

Ω

 

68 k Ω

 

 

20

V DS = 9 V

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

56

 

 

 

 

 

(mA)

 

R G = 100 kΩ

 

6 V

 

 

 

 

 

82 k Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k Ω

 

 

 

 

 

 

4 V

 

 

 

 

 

 

100

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

120 k Ω

 

 

 

 

 

3 V

 

 

 

 

 

 

 

Current

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150 k Ω

 

 

 

 

2 V

 

 

 

 

 

 

180 k Ω

 

Drain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200 k Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G = 220 k Ω

 

 

4

 

 

 

VG2S = 1 V

 

 

 

 

 

V DS = VG1 = 9 V

 

 

 

 

 

 

 

1.2

 

 

2.4

3.8

4.8

6.0

 

0

2

4

6

8

10

Gate2 to Source Voltage

VG2S

(V)

 

 

Gate1 Voltage

 

V G1 (V)

 

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