HIT 4AC12 Datasheet

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4AC12

Silicon NPN Epitaxial

Application

Low frequency power amplifier

Outline

SP-10

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1, 10

 

 

Emitter

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2, 4, 6, 8

Base

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3, 5, 7, 9

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

2

4

 

ID

1

7

 

6

8

 

ID

5

ID

9

ID

10

4AC12

Absolute Maximum Ratings (for each device, Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

VCBO

27

V

Collector to emitter voltage

VCEO

27

V

Emitter to base voltage

VEBO

7

V

Collector current

IC

2

A

 

 

 

 

Collector peak current

IC(peak)

4

A

Diode current

ID

2

A

 

 

 

 

Collector power dissipation

PC*1

4

W

 

 

 

 

 

PC*1 (TC = 25°C)

28

 

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. 4 devices operation.

 

 

 

Electrical Characteristics (for each device, Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

Typ

 

 

 

 

 

Max

 

Unit

 

Test conditions

 

Collector to emitter breakdown

V(BR)CBO

27

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

C = 1 mA, IE = 0

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter sustain

VCEO(SUS)

28

 

 

 

 

 

 

36

V

I C = 1 A, L = 20 mH, RBE =

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base breakdown

V(BR)EBO

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

E = 5 mA, IC = 0

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff current

ICBO

 

10

 

A

 

VCB = 20 V, IE = 0

 

 

ICEO

 

10

 

 

V

CE = 20 V, RBE =

 

DC current transfer ratio

hFE

7000

 

 

 

 

30000

 

 

V CE = 2 V, IC = 0.5 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h

FE

2000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

CE

= 2 V, I = 2 A*1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

Collector to emitter saturation

V

CE(sat)

 

1.5

V

I

C

= 2 A, I = 2 mA*1

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter saturation

V

BE(sat)

 

2.0

V

I

C

= 2 A, I = 2 mA*1

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C to E diode forward current

VD

 

3.5

V

I

D = 2 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: 1. Pulse test.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

HIT 4AC12 Datasheet

4AC12

Maximum Collector Dissipation Curve

 

6

 

 

 

(W)

 

 

4 device operation

C

 

 

 

 

P

 

 

3 device operation

dissipation

 

 

4

 

2 device operation

 

 

 

 

1 device operation

Collector power

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

Ambient temperature Ta (°C)

Note: Collector power dissipation of each devices is identical.

Area of Safe Operation

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

iC(peak)

 

 

 

 

 

 

3.0

 

 

IC(max)

 

 

 

1

 

(A)

 

 

 

PW

ms

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

C

1.0

 

 

 

DC

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

ms

 

 

 

 

 

 

(T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

0.3

 

 

 

=

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

current

 

 

 

 

 

Operation°

 

 

 

 

 

 

 

C)

 

 

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

0.03

Ta = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 shot pulse

 

 

 

 

 

 

0.01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.5

1.0

2

5

10

20

50

Collector to emitter voltage VCE (V)

Maximum Collector Dissipation Curve

 

30

 

 

 

(W)

 

 

4 device operation

 

 

 

 

C

 

 

 

 

P

 

 

3 device operation

dissipation

 

 

20

 

2 device operation

 

 

 

 

 

 

Collector power

10

 

 

 

 

1 device operation

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

 

Case temperature TC (°C)

 

Typical Output Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

90

80

 

70

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(A)

1.6

 

 

 

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

current

1.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

0.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB

 

= 0

TC

= 25

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

1

 

2

 

 

3

 

4

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to emitter voltage

VCE (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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