HIT 3SK194 Datasheet

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HIT 3SK194 Datasheet

3SK194

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Application

VHF/UHF TV tuner RF amplifier

Outline

MPAK-4

2

3

 

1

 

4

1.

Source

2.

Gate1

 

3.

Gate2

 

4.

Drain

3SK194

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

 

 

Symbol

 

Ratings

Unit

Drain to source voltage

 

 

VDS

15

V

Gate 1 to source voltage

 

 

VG1S

±10

V

Gate 2 to source voltage

 

 

VG2S

±10

V

Drain current

 

 

ID

35

mA

 

 

 

 

 

 

Channel power dissipation

 

 

Pch

150

mW

 

 

 

 

 

 

Channel temperature

 

 

Tch

125

°C

Storage temperature

 

 

Tstg

 

–55 to +125

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

3SK194

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

Typ

 

 

 

 

 

Max

Unit

 

 

Test conditions

Drain to source breakdown

V(BR)DSX

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 200 A,

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VG2S = –5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1 to source breakdown

V(BR)G1SS

±10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G1 = ±10 A, VG2S = VDS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate 2 to source breakdown

V(BR)G2SS

±10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G2 = ±10 A, VG1S = VDS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1 cutoff current

IG1SS

 

±100

nA

 

 

VG1S = ±8 V, VG2S = VDS = 0

Gate 2 cutoff current

IG2SS

 

±100

nA

 

 

VG2S = ±8 V, VG1S = VDS = 0

Gate 1 to source cutoff voltage

VG1S(off)

 

 

–1.0

V

V

DS = 10 V, VG2S = 3 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100 A

Gate 2 to source cutoff voltage

VG2S(off)

 

 

–1.5

V

V

DS = 10 V, VG1S = 3 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100 A

Drain current

IDSS

0

 

 

 

 

 

 

10

mA

V DS = 6 V, VG1S = 0, VG2S = 3 V

Forward transfer admittance

|yfs|

17

 

 

 

 

 

 

 

 

 

mS

V

DS = 6 V, VG2S = 3 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 10 mA, f = 1 kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

Ciss

2.8

 

3.5

pF

V DS = 6 V, VG2S = 3 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 10 mA, f = 1 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output capacitance

Coss

1.8

 

2.5

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Reverse transfer capacitance

Crss

0.02

 

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power gain

PG

12

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

dB

V DS = 6 V, VG2S = 3 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 10 mA, f = 900 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

3.0

 

4.5

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

3.0

 

4.0

dB

V DD = 12 V, VAGC = 10.5 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 60 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power gain

PG

27

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

dB

V DS = 6 V, VG2S = 3 V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 10 mA, f = 200 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

1.0

 

2.5

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: Marking is “IY–”.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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