HIT BB404M Datasheet

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BB404M

Build in Biasing Circuit MOS FET IC

UHF/VHF RF Amplifier

ADE-208-717A (Z) 2nd. Edition Dec. 1998

Features

Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

High gain;

(PG = 29 dB typ. at f = 200 MHz)

Low noise characteristics;

(NF = 1.2 dB typ. at f = 200 MHz)

Wide supply voltage range;

Applicable with 5V to 9V supply voltage.

Withstanding to ESD;

Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

Provide mini mold packages; MPAK-4R(SOT-143 var.)

Outline

MPAK-4R

3

4

2

1 1. Source

2. Drain

3. Gate2

4. Gate1

Notes: 1. Marking is “DX–”.

2. BB404M is individual type number of HITACHI BBFET.

BB404M

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDS

12

V

Gate1 to source voltage

VG1S

±10

V

 

 

– 0

 

 

 

 

 

Gate2 to source voltage

VG2S

Å}10

V

Drain current

ID

25

mA

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

150

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

 

 

 

Typ

 

 

 

 

 

Max

Unit

 

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

V(BR)DSS

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 200µA, VG1S = VG2S = 0

Gate1 to source breakdown voltage

V(BR)G1SS

+10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G1 = +10µA, VG2S = VDS = 0

Gate2 to source breakdown voltage

V(BR)G2SS

±10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G2 = ±10µA, VG1S = VDS = 0

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

 

+100

nA

V

G1S = +9V, VG2S = VDS = 0

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

 

±100

nA

 

VG2S = ±9V, VG1S = VDS = 0

Gate1 to source cutoff voltage

VG1S(off)

0.4

 

 

 

 

0.7

1.0

V

 

VDS = 5V, VG2S = 4V, ID = 100µA

Gate2 to source cutoff voltage

VG2S(off)

0.5

 

 

 

 

0.7

1.0

V

 

VDS = 5V, VG1S = 5V, ID = 100µA

Input capacitance

ciss

2.3

 

 

 

 

 

2.8

 

3.6

pF

 

VDS = 5V, VG1

= 5V

Output capacitance

coss

0.9

 

 

 

 

 

 

 

 

1.3

 

 

 

 

 

2.0

pF

 

VG2S =4V, RG = 180kΩ

Reverse transfer capacitance

crss

0.003

 

 

 

 

0.02

 

 

 

 

 

0.05

pF

 

f = 1MHz

 

Drain current

ID(op) 1

9

 

 

 

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

19

mA

 

VDS = 5V, VG1

= 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 4V, RG = 180kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID(op) 2

 

 

 

 

13

 

 

 

 

 

mA

V

DS = 9V, VG1

= 9V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =6V, RG = 470kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|1

22

 

 

 

 

 

 

 

 

27

34

mS

 

VDS = 5V, VG1

= 5V, VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 180kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|yfs|2

 

 

 

 

27

 

 

 

 

 

mS

V

DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 470kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power gain

PG1

24

 

 

 

 

 

 

 

 

29

32

dB

 

VDS = 5V, VG1

= 5V, VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 180kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PG2

 

 

 

 

29

 

 

 

 

 

dB

V

DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 470kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF1

 

 

 

 

1.2

1.9

dB

V DS = 5V, VG1

= 5V, VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 180kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NF2

 

 

 

 

1.2

 

 

 

 

 

dB

V

DS = 9V, VG1

= 9V, VG2S =6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 470kΩ, f = 200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

BB404M

Main Characteristics

Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)

VG1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2

 

 

 

R G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1

 

 

 

 

 

Gate 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Source

Drain

A

I D

Power Gain, Noise Figure Test Circuit

V T

 

VG2

 

 

 

V T

1000p

 

1000p

 

 

 

1000p

 

1000p

47k

BBFET

 

 

47k

47k

 

 

L2

1000p

Output (50Ω)

 

 

 

Input (50Ω)

 

 

 

 

 

 

L1

 

 

 

 

 

10p max

1000p

 

1000p

RFC

 

 

 

 

 

R G

1SV70

36p

1SV70

180k (VD=5V)

 

 

 

470k (VD=9V)

1000p

V D= V G1

Unit Resistance

(Ω)

Capacitance

(F)

 

L1 :φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 10mm, 2Turns

L2 :φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 10mm, 2Turns

RFC :φ1mm Enameled Copper Wire,Inside dia 5mm, 2Turns

.

3

HIT BB404M Datasheet

BB404M

Maximum Channel Power

 

Dissipation Curve

Typical Output Characteristics

 

(mW)

200

 

 

 

 

 

25

VG2S = 6 V

 

 

 

 

k Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

Pch

 

 

 

 

 

(mA)

20

V G1= VDS

 

 

270

330

k

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

390

k

Power Dissipation

 

 

 

 

 

D

15

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

Drain Current I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

470

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

560 k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

680

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

820

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

Channel

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG

= 1.5

M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

200

 

0

2

4

6

 

 

8

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

Ambient Temperature

Ta

(°C)

 

 

Drain to Source Voltage

 

VDS (V)

Drain Current I D (mA)

 

 

Drain Current vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

Gate2 to Source Voltage

 

 

 

25

Drain Current vs. Gate1 Voltage

 

V DS = VG1 = 9 V

 

 

 

 

 

 

V DS = 9 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G = 390 kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

270

k

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

(mA)

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

330

k

 

 

 

 

5 V

 

 

 

 

 

 

 

kΩ

D

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

390

I

 

 

4 V

 

 

 

 

 

 

 

kΩ

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

470

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kΩ

 

10

 

 

 

3 V

 

 

 

 

 

560

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kΩ

Drain

 

 

 

 

2 V

 

 

 

 

 

 

680

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

Ω

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

820

k Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1M

 

 

 

 

 

VG2S = 1 V

 

 

 

 

R

 

5 MΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G

= 1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

1.2

2.4

3.8

 

4.8

 

6.0

 

0

2

4

6

8

10

 

Gate2 to Source Voltage

VG2S

(V)

 

 

Gate1 Voltage

VG1

(V)

 

4

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