HIT 2SK3290 Datasheet

0 (0)

2SK3290

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Switching

ADE-208-744 C (Z) 4th.Edition.

June 1999

Features

Low on-resistance

RDS = 0.455 Ω typ. (VGS = 10 V , ID = 250 mA) RDS = 0.9 Ω typ. (VGS = 4 V , ID = 100 mA)

4 V gate drive device.

Small package (MPAK)

Outline

MPAK

3

1

D

2

G

1. Source

2. Gate

3. Drain

S

2SK3290

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDSS

30

V

Gate to source voltage

VGSS

±20

V

Drain current

ID

500

mA

 

 

 

 

Drain peak current

Note1

2

A

ID(pulse)

Body-drain diode reverse drain current

IDR

500

mA

Channel dissipation

Pch Note 2

400

mW

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

 

Note: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

 

 

 

2. Value on the alumina ceramic board (12.5x20x0.7mm)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

 

Symbol

Min

 

 

 

Typ

 

Max

Unit

 

 

Test Conditions

Drain to source breakdown

V(BR)DSS

30

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 100 µA, VGS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to source breakdown

V(BR)GSS

±20

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G = ±100 µA, VDS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to source leak current

IGSS

 

±5

µA

 

 

VGS = ±16 V, VDS = 0

Zero gate voltege drain

IDSS

 

-1

µA

 

 

VDS = 30 V, VGS = 0

current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to source cutoff voltage

VGS(off)

1.3

 

 

 

 

 

 

 

2.3

V

I D = 10µA, VDS = 5 V

Static drain to source on state

RDS(on)

0.455

 

 

 

 

0.525

Ω

 

 

ID = 250 mA,VGS = 10 V Note 3

resistance

 

RDS(on)

0.9

 

 

 

 

1.25

Ω

 

 

ID = 100 mA,VGS = 4 V Note 3

Forward transfer admittance

|yfs|

350

 

 

 

 

540

 

 

 

 

 

mS

 

 

ID = 250 mA, VDS = 10 V Note 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

Ciss

5

 

 

 

 

 

 

 

 

pF

V

DS = 10 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output capacitance

Coss

30

 

 

 

 

 

 

pF

V

 

GS = 0

Reverse transfer capacitance

Crss

2

 

 

 

 

 

 

 

 

pF

f = 1 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-on delay time

td(on)

240

 

 

 

 

 

ns

I

 

D = 250 mA, VGS = 10 V

Rise time

 

tr

1700

 

 

 

 

 

ns

R

L = 40Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-off delay time

td(off)

850

 

 

 

 

 

ns

 

 

 

Fall time

 

tf

1300

 

 

 

 

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: 3.

Pulse test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Marking is BN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

HIT 2SK3290 Datasheet

2SK3290

Main Characteristics

Channel Dissipation *Pch (mW)

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

800

600

400

200

0

50

100

150

200

 

Ambient Temperature

Ta ( °C)

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100 µs

(A)

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 ms

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PW

 

 

 

 

 

 

D

0.2

 

 

 

DC

 

=

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1

 

10

 

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.05

 

 

 

 

 

 

 

shot)

 

 

Current

 

0.02

 

 

 

 

Operation

 

 

 

 

 

Operation in this area

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

0.01

 

 

 

 

 

 

 

 

is limited by RDS)on)

 

 

 

 

 

 

 

 

0.005

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.002

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.001

Ta=25 °C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.0005

 

0.2

0.5

1.0

2

5

 

 

10

 

20

50

 

 

0.05 0.1

 

 

 

 

 

 

Drain to Source Voltage

VDS

(V)

 

*Value on the alumina ceramic boad (12.5x20x0.7mm)

Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)

Drain Current I D (A)

Typical Outout Characteristics

7 V 6 V

2.0

Pulse Test

1.6

5V

1.2

0.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

 

 

 

4 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS = 3 V

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

4

6

8

 

10

 

 

 

 

 

Drain to Source Voltage

VDS

(V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Current I D (A)

Typical Transfer Characteristics

2.0

1.6

 

 

 

 

 

 

25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

75°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.2

 

 

 

 

 

Tc = –25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V DS = 10 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pulse Test

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

4

6

 

8

 

10

 

 

 

Gate to Source Voltage

 

VGS

(V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

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