HIT BB501C Datasheet

0 (0)

BB501C

Build in Biasing Circuit MOS FET IC

UHF RF Amplifier

ADE-208-701C (Z) 4th. Edition Nov. 1998

Features

Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

High gain;

PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MHz

Low noise;

NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MHz

Withstanding to ESD;

Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

Provide mini mold packages; CMPAK-4(SOT-343mod)

Outline

CMPAK-4

2

3

1

4 1. Source

2. Gate1

3. Gate2

4. Drain

Notes: 1. Marking is “AS–”.

2. BB501C is individual type number of HITACHI BBFET.

BB501C

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDS

6

V

Gate1 to source voltage

VG1S

+6

V

 

 

– 0

 

 

 

 

 

Gate2 to source voltage

VG2S

+6

V

 

 

– 0

 

 

 

 

 

Drain current

ID

20

mA

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

100

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

Item

Symbol

Min

 

 

 

 

 

Typ

 

Max

Unit

 

Test Conditions

Drain to source breakdown

V(BR)DSS

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 200µA

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VG2S = 0

Gate1 to source breakdown

V(BR)G1SS

+6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G1 = +10µA

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

Gate2 to source breakdown

V(BR)G2SS

+6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

G2 = +10µA

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

 

 

+100

nA

V

G1S = +5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

 

 

+100

nA

V

G2S = +5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff voltage VG1S(off)

0.5

 

 

 

 

0.7

 

 

 

 

1.0

V

 

VDS = 5V, VG2S = 4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff voltage VG2S(off)

0.5

 

 

 

 

0.7

 

 

 

 

1.0

V

 

VDS = 5V, VG1S = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100µA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain current

ID(op)

7

 

 

 

 

10

 

 

 

 

13

mA

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 4V, RG = 47kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

19

 

 

 

 

24

 

 

 

 

29

mS

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =4V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 47kΩ, f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

ciss

1.4

 

 

 

 

1.7

 

 

 

 

2.0

pF

 

VDS = 5V, VG1 = 5V

Output capacitance

coss

0.7

 

 

 

 

1.1

 

 

 

 

1.5

pF

 

VG2S =4V, RG = 47kΩ

Reverse transfer capacitance

crss

0.019

 

 

0.04

pF

f = 1MHz

Power gain

PG

17

 

 

 

 

21.5

 

 

 

dB

V DS = 5V, VG1 = 5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S =4V, RG = 47kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

1.85

 

 

 

 

2.4

dB

f = 900MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

BB501C

Main Characteristics

Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)

VG2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R G

 

 

 

 

 

 

 

Gate 2

 

 

 

 

 

 

 

Gate 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

Source

 

 

A

I D

Application Circuit

 

 

VAGC = 4 to 0.3 V

V DS = 5

V

BBFET

RFC

Output

 

 

Input

 

 

R G

 

 

V GG = 5 V

 

 

3

HIT BB501C Datasheet

BB501C

900MHz Power Gain, Noise Test Circuit

VG1 VG2

 

VD

 

C4

C5

 

C6

 

R1

R2

R3

 

RFC

 

C3

 

 

 

 

G2

D

 

Output

 

 

 

 

 

G1

 

L3

L4

Input

 

 

 

 

S

 

 

L1

L2

 

 

 

 

 

 

C1

 

 

C2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C1, C2

Variable Capacitor 10pF MAX)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C3

Disk Capacitor 1000pF)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C4 C6

Air Capacitor 1000pF)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1

47 kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R2

47 kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R3

4.7 kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

21

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L4

 

 

 

 

 

18

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

29

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

φ1mm Copper wire Unit mm

RFC φ1mm Copper wire with enamel 4turns inside dia 6mm

4

Loading...
+ 9 hidden pages