HIT 2SK359 Datasheet

0 (0)

2SK359

Silicon N-Channel MOS FET

Application

VHF amplifier

Outline

TO-92 (2)

1. Gate

2. Source

3. Drain

3

2

1

2SK359

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDSX*1

20

V

 

 

 

 

Gate to source voltage

VGSS

±5

V

Drain current

ID

30

mA

 

 

 

 

Gate current

IG

±1

mA

Channel power dissipation

Pch

400

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. VGS = –4 V

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

 

 

Symbol

Min

 

 

Typ

 

 

 

 

 

Max

Unit

 

 

Test conditions

Drain to source breakdown

 

V(BR)DSX

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

D = 100 A, VGS = –4 V

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate cutoff current

 

IGSS

 

±20

nA

 

 

VGS = ±5 V, VDS = 0

Drain current

 

 

IDSS*1

4

 

 

 

 

 

 

12

mA

V DS = 10 V, VGS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate to source cutoff voltage

VGS(off)

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–2.0

V

V DS = 10 V, ID = 10 A

Forward transfer admittance

 

 

y

fs

 

8

 

 

 

 

14

 

 

 

 

 

 

mS

V DS = 10 V, VGS = 0,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 1 kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

 

Ciss

2.5

 

 

 

 

pF

V

DS = 10 V, VGS = 0,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 1 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output capacitance

 

Coss

1.6

 

 

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Reverse transfer capacitance

Crss

0.03

 

 

 

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power gain

 

 

PG

30

 

 

 

 

dB

V

DS = 10 V, VGS = 0,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 100 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

 

 

NF

2

 

 

 

 

 

 

 

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note: 1. The 2SK359 is grouped by IDSS as follows.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

E

F

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 to 8

6 to 10

8 to 12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

HIT 2SK359 Datasheet

Maximum Channel Dissipation Curve

(mW)

600

 

 

 

 

 

 

 

ch

 

 

 

 

P

 

 

 

 

Dissipation

400

 

 

 

 

 

 

 

Channel Power

200

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

 

Ambient Temperature Ta (°C)

 

Typical Transfer Characteristics

 

10.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDS = 10 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)

8.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

4.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–2.0

–1.6

–1.2

–0.8

–0.4

0

Gate to Source Voltage VGS (V)

2SK359

Typical Output Characteristics

 

10

= 0 V

 

V

 

GS

 

(mA)

8

–0.1

 

 

–0.2

D

6

I

–0

Current

 

 

 

–0.3

Drain

4

.4

 

–0.5

 

 

 

2

–0.6

 

 

 

 

–0.7

 

 

–0.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

2

 

4

 

6

 

8

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain to Source Voltage

VDS (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward Transfer Admittance vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mS)

 

 

 

Drain to Source Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

½

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fs

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

½

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Admittance

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transfer

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS

= 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 1 kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

2

4

6

8

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain to Source Voltage

 

VDS (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

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