HIT 3SK317 Datasheet

Loading...

3SK317

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

UHF / VHF RF Amplifier

ADE-208-778 (Z) 1st. Edition Mar. 1999

Features

Low noise characteristics;

(NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz)

High power gain characteristics ; (PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz)

Outline

CMPAK-4

2

3

1

4 1. Source

2. Gate1

3. Gate2

4. Drain

Note: Marking is “ZR-”.

3SK317

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ratings

 

 

Unit

 

Drain to source voltage

VDS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14

 

 

 

V

 

Gate1 to source voltage

VG1S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

±8

 

 

 

V

 

Gate2 to source voltage

VG2S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

±8

 

 

 

V

 

Drain current

ID

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

 

mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

mW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

°C

 

Storage temperature

Tstg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–55 to +150

 

 

°C

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Item

Symbol

Min

 

 

 

 

 

 

Typ

 

Max

Unit

 

 

Test Conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain to source breakdown voltage

V(BR)DSS

14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

 

D = 200 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VG2S = -3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source breakdown

V(BR)G1SS

±8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

 

G1 = ±10 A

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

Gate2 to source breakdown

V(BR)G2SS

±8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

I

 

G2 = ±10 A

 

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

 

 

 

 

±100

nA

 

 

VG1S = ±6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

 

 

 

 

±100

nA

 

 

VG2S = ±6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = VDS = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff voltage

VG1S(off)

0

 

 

 

 

0.2

 

 

 

1

V

 

 

VDS = 10 V, VG2S = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100 A

 

Gate2 to source cutoff voltage

VG2S(off)

0

 

 

 

 

0.3

 

 

 

1

V

 

 

VDS = 10 V, VG1S = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100 A

 

Drain current

IDS(op)

4

 

 

 

 

8

 

 

 

 

14

mA

 

 

VDS = 6 V, VG1S = 0.75 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

20

 

 

25

 

 

 

 

 

mS

 

V DS = 6 V, VG2S = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 10 mA , f = 1 kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

Ciss

2.4

 

 

3.1

 

 

 

3.5

pF

 

 

VDS = 6 V, VG2S = 3 V

 

Output capacitance

Coss

0.8

 

 

1.1

 

 

 

1.4

pF

 

 

ID = 10 mA , f = 1 MHz

 

Reverse transfer capacitance

Crss

0.021

 

0.04

pF

 

 

 

 

Power gain

PG

24

 

 

27.6

 

 

 

dB

 

V DS = 6 V, VG2S = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

1.0

 

 

 

 

1.5

dB

 

I D = 10 mA , f = 200 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power gain

PG

12

 

 

15.6

 

 

 

dB

 

V DS = 6 V, VG2S = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

3

 

 

 

 

4

dB

 

I D = 10 mA , f = 900 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

2.7

 

 

 

 

3.5

dB

 

V DS = 6 V, VG2S = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 10 mA , f = 60 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

HIT 3SK317 Datasheet

3SK317

Maximum Channel Power

Dissipation Curve

(mW)

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pch

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dissipationpower

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Channel

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

200

 

 

Ambient Temperature Ta

(°C)

 

Drain Current vs. Gate1 to Source Voltage

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.0 V

 

 

 

 

 

 

2.5 V

 

 

 

 

 

 

 

VDS = 6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pulse test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

currentDrain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 0.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

2

3

 

 

4

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source voltage

 

VG1S (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

Typical Output Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)

 

1.2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S= 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pulse test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.8 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = 0.4 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

2

 

4

6

 

 

 

8

 

10

 

 

Drain to source voltage

VDS (V)

 

 

 

 

 

Drain Current vs. Gate2 to Source Voltage

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V DS = 6 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pulse test

 

 

(mA)

16

 

 

 

2.5

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

currentDrain

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S = 0.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

2

3

 

 

 

 

4

 

5

 

 

 

 

 

Gate2 to source voltage

VG2S (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

+ 5 hidden pages