HIT 3SK318 Datasheet

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3SK318

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

UHF RF Amplifier

ADE-208-600(Z) 1st. Edition February 1998

Features

Low noise characteristics;

(NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz)

Excellent cross modulation characteristics

Capable low voltage operation; +B= 5V

Outline

CMPAK-4

2

3

1

4 1. Source

2. Gate1

3. Gate2

4. Drain

Note: Marking is “YB–”.

3SK318

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDS

6

V

Gate1 to source voltage

VG1S

±6

V

Gate2 to source voltage

VG2S

±6

V

Drain current

ID

20

mA

 

 

 

 

Channel power dissipation

Pch

100

mW

 

 

 

 

Channel temperature

Tch

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

 

 

 

 

 

Typ

 

 

 

Max

Unit

 

 

Test Conditions

Drain to source breakdown

V(BR)DSS

6

 

 

 

 

 

 

V

I

 

D = 200 A, VG1S = VG2S = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source breakdown

V(BR)G1SS

±6

 

 

 

 

 

 

V

I

 

G1 = ±10 A, VG2S = VDS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate2 to source breakdown

V(BR)G2SS

±6

 

 

 

 

 

 

V

I

 

G2 = ±10 A, VG1S = VDS = 0

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate1 to source cutoff current

IG1SS

 

 

 

±100

nA

 

 

VG1S = ±5V, VG2S = VDS = 0

Gate2 to source cutoff current

IG2SS

 

 

 

±100

nA

 

 

VG2S = ±5V, VG1S = VDS = 0

Gate1 to source cutoff voltage

VG1S(off)

0.5

0.7

 

1.0

V

 

 

VDS = 5V, VG2S = 3V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100 A

Gate2 to source cutoff voltage

VG2S(off)

0.5

0.7

 

1.0

V

 

 

VDS = 5V, VG1S = 3V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 100 A

Drain current

IDS(op)

0.5

4

 

 

 

 

10

mA

 

 

VDS = 3.5V, VG1S = 1.1V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG2S = 3V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

18

24

 

 

32

mS

 

 

VDS = 3.5V, VG2S = 3V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 10mA , f = 1kHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

Ciss

1.3

1.6

 

1.9

pF

 

 

VDS = 3.5V, VG2S = 3V

Output capacitance

Coss

0.9

1.2

 

1.5

pF

 

 

ID = 10mA , f= 1MHz

Reverse transfer capacitance

Crss

0.019

0.03

pF

 

 

 

Power gain

PG

18

21

 

 

 

 

 

dB

 

V DS = 3.5V, VG2S = 3V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise figure

NF

1.4

 

 

 

2.2

dB

 

I D = 10mA , f = 900MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

HIT 3SK318 Datasheet

3SK318

Channel Power Dissipation Pch (mW)

Maximum Channel Power

 

 

 

 

 

Dissipation Curve

 

20

Typical Output Characteristics

200

 

VG1S = 1.7 V

 

 

 

 

VG2S

= 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)

16

1.6 V

 

 

150

 

1.5 V

 

 

 

D

 

 

 

 

12

 

 

 

 

I

 

 

 

 

Current

 

1.4 V

 

 

100

 

1.3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain

 

1.2 V

 

 

50

4

1.1 V

 

 

 

 

 

1.0 V

 

 

 

 

 

0.9 V

0.8 V

 

 

 

 

0

50

100

150

200

0

2

4

6

8

10

 

Ambient Temperature

Ta

(°C)

 

Drain to Source Voltage

VDS (V)

 

Drain Current I D (mA)

 

 

 

Drain Current vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

Gate1 to Source Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V DS = 3.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.5

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.0

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

1.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

VG2S = 1.0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

2

 

 

3

 

 

 

4

5

 

 

 

 

 

 

Gate1 to Source Voltage

VG1S

(V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Current I D (mA)

 

 

 

 

 

Drain Current vs.

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

Gate2 to Source Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V DS = 3.5 V

 

 

 

 

 

 

 

1.8 V

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

 

2.0

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.6

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.4 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG1S

= 1.0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

2

 

 

 

3

 

 

 

 

4

 

5

 

 

Gate2 to Source Voltage

VG2S (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

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