HIT 4AK19 Datasheet

0 (0)

4AK19

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-727 (Z) 1st. Edition February 1999

Features

Low on-resistance

N Channel: RDS(on) 0.5 Ω, VGS = 10 V, ID = 2.5 A RDS(on) 0.6 Ω, VGS = 4 V, ID = 2.5 A

4 V gate drive devices.

High density mounting

Outline

SP-10

3

 

 

 

1 2

3 4 5 6

 

 

5

7

9

 

7 8 9

 

D

D

D

D

 

 

10

4

6

 

8

 

 

 

G

G

 

G

 

 

 

 

2 G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1, 10. Source

1 S

 

 

S 10

 

2, 4, 6, 8. Gate

 

 

 

 

 

3, 5, 7, 9. Drain

4AK19

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

 

Symbol

Ratings

Unit

Drain to source voltage

VDSS

120

V

Gate to source voltage

VGSS

±20

V

Drain current

ID

5

A

 

 

 

 

 

Drain peak current

Note1

10

A

ID(pulse)

Body-drain diode reverse drain current

IDR

5

A

Channel dissipation

Pch(Tc = 25°C) Note2

28

W

 

 

 

 

Channel dissipation

Pch Note2

3.5

W

Channel temperature

Tch

150

°C

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

 

 

 

 

 

Note: 1.

PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

 

 

 

2.

4 devices poeration

 

 

 

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

 

 

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

 

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

V(BR)DSS

120

V

I

D = 10 mA, VGS = 0

Gate to source breakdown voltage

V(BR)GSS

±20

V

I

G = ±100 µA, VDS = 0

Zero gate voltege drain current

IDSS

100

µA

 

VDS = 100 V, VGS = 0

Gate to source leak current

IGSS

±10

µA

 

VGS = ±16 V, VDS = 0

Gate to source cutoff voltage

VGS(off)

1.0

2.0

V

I D = 1 mA, VDS = 10 V

Static drain to source on state

RDS(on)

0.3

0.5

Ω

 

ID = 2.5 A, VGS = 10 V Note3

resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static drain to source on state

RDS(on)

0.35

0.6

Ω

 

ID = 2.5 A, VGS = 4 V Note3

resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Forward transfer admittance

|yfs|

3

5

S

I D = 2.5 A, VDS = 10 V Note3

 

 

 

 

 

 

 

 

Input capacitance

Ciss

25

pF

V

DS = 10 V

 

 

 

 

 

 

 

 

Output capacitance

Coss

140

pF

V

GS = 0

Reverse transfer capacitance

Crss

3

pF

f = 1 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate series resistance

Rg

2.5

k Ω

 

VDS = 0, VGS = 0, f = 1 MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-on delay time

td(on)

0.3

µs

 

VGS = 10 V, ID = 2.5 A

Rise time

tr

0.45

µs

 

RL = 12 Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-off delay time

td(off)

6.6

µs

 

 

Fall time

tf

1.4

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Body–drain diode forward voltage

VDF

1.1

V

I

F = 5 A, VGS = 0

Body–drain diode reverse

trr

600

ns

I

F = 5 A, VGS = 0

recovery time

 

 

 

 

 

 

diF/ dt = 50A/ µs

Note: 3. Pulse test

2

HIT 4AK19 Datasheet

4AK19

Main Characteristics

 

8

Maximum Channel Dissipation Curve

 

46

Maximum Channel Dissipation Curve

 

 

 

 

 

 

Condition : Channel dissipation of

 

(W)

 

Condition : Channel dissipation of

 

(W)

 

 

 

 

each die is idetical

 

 

 

each die is idetical

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pch

6

 

 

 

 

Pch

32

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Dissipation

 

 

4 Device Operation

Dissipation

 

 

4 Device Operation

 

 

 

 

 

 

 

4

 

3 Device Operation

 

28

 

3 Device Operation

 

 

 

2 Device Operation

 

 

 

2 Device Operation

Channel

2

 

1 Device Operation

Channel

14

 

1 Device Operation

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

200

 

0

50

100

150

200

 

 

Ambient Temperature

Ta (°C)

 

 

 

Case Temperature

Tc (°C)

 

Drain Current I D (A)

Maximum Safe Operation Area

50

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

10

 

 

PW

 

100

µs

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

1

µs

 

 

 

=

 

 

 

 

DC

10

ms

 

 

 

 

2

 

ms

 

 

 

 

Operation

 

 

 

 

1

 

(1shot)

 

 

0.5

Operation in

(Tc

 

 

 

 

 

this area is

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

25°C)

 

 

 

0.2

limited by R DS(on)

 

 

 

0.1

Ta = 25 °C

 

 

 

 

 

 

0.05

 

 

 

 

 

 

1

3

10

 

30

 

100

300

1000

 

Drain to Source Voltage V DS (V)

Drain Current I D (A)

5

 

Typical Output Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pulse Test

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

4 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS = 2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

8

12

 

 

16

 

20

 

Drain to Source Voltage

 

VDS (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

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