Zetex (Now Diodes) FMMT5209, FMMT5210 Schematic [ru]

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SOT23 NPN SILICON PLANAR

 

 

 

 

 

 

FMMT5209

SMALL SIGNAL TRANSISTORS

 

 

 

 

 

 

FMMT5210

ISSUE 2 - JULY 1995

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARTMARKING DETAILS:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT5209 - 2Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

E

FMMT5210 - 2R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SOT23

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

 

 

SYMBOL

 

FMMT5209

 

 

FMMT5210

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

 

 

VCBO

 

 

 

 

50

 

V

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

VCEO

 

 

 

 

50

 

V

Emitter-Base Voltage

 

 

 

 

VEBO

 

 

 

 

4.5

 

V

Continuous Collector Current

 

 

 

IC

 

 

 

 

50

 

mA

Power Dissipation

 

 

 

 

Ptot

 

 

 

330

 

mW

Operating and Storage Temperature Range

 

Tj:Tstg

 

 

-55 TO +150

 

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).

 

 

 

FMMT5209

 

FMMT5210

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

SYMBOL

 

 

 

 

 

UNIT

 

 

CONDITIONS.

 

MIN.

 

MAX.

MIN.

MAX.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

 

ICBO

 

 

50

 

 

50

nA

 

 

VCB=35V, IE=0

 

Cut-Off Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

 

IEBO

 

 

50

 

 

50

nA

 

 

VEB=3V, IC=0

 

Cut-Off Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

 

VCE(sat)

 

 

700

 

 

700

mV

 

 

IC=10mA, IB=1mA

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter ON

 

VBE(on)

 

 

850

 

 

850

mV

 

 

IC=1mA, VCE=5V

 

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward

 

hFE

100

 

300

 

200

600

 

 

 

IC=100μA, VCE=5V

 

Current Transfer

 

 

150

 

 

 

 

250

 

 

 

 

 

IC=1mA, VCE=5V

 

Ratio

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

250

 

 

 

 

 

IC=10mA, VCE=5V*

 

Transition Frequency

 

fT

30

 

 

 

 

30

 

 

MHz

 

 

IC=0.5mA, VCE=5V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=20MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Small Signal Current

 

hfe

150

 

600

 

250

900

MHz

 

 

IC=1mA, VCE=5V, f=1KHz

Transfer Ratio

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise Figure

 

N

 

 

3

 

 

 

2

dB

 

 

IC=200μA, VCE=5V, Rg=2KΩ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=30Hz to 15KHz at -3dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

points

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

3

dB

 

 

IC=200μA, VCE=5V, Rg=2KΩ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=1KHz to f=200Hz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output Capacitance

 

Cobo

 

 

4

 

 

 

4

pF

 

 

VCB=5V, IE=0, f=140KHz

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