Zetex (Now Diodes) FMMT717, FMMT718, FMMT720, FMMT722, FMMT723 Schematic [ru]

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SuperSOT

SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS

FMMT717 FMMT718 FMMT720 FMMT722 FMMT723

ISSUE 3 JUNE 1996

FEATURES

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*

625mW POWER DISSIPATION

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*

IC CONT 2.5A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

E

* IC Up To 10A Peak Pulse Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* Excellent hfe Characteristics Up To 10A (pulsed)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

* Exhibits extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DEVICE TYPE

 

COMPLEMENT

 

PARTMARKING

 

 

 

RCE(sat)

 

 

 

 

 

FMMT717

 

FMMT617

 

 

 

717

 

 

72mΩ at 2.5A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT718

 

FMMT618

 

 

 

718

 

 

97mΩ at 1.5A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT720

 

FMMT619

 

 

 

720

 

 

163mΩ at 1.5A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT722

 

 

 

 

722

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT723

 

FMMT624

 

 

 

723

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT

FMMT

FMMT

FMMT

FMMT

 

PARAMETER

 

SYMBOL

717

 

718

 

720

 

 

722

723

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

VCBO

 

-12

 

-20

 

-40

 

 

-70

-100

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

 

-12

 

-20

 

-40

 

 

-70

-100

V

Emitter-Base Voltage

 

VEBO

 

-5

 

-5

 

-5

 

 

-5

-5

V

Peak Pulse Current**

 

ICM

 

-10

 

-6

 

-4

 

 

-3

-2.5

A

Continuous Collector Current

IC

 

-2.5

 

-1.5

 

-1.5

 

 

-1.5

-1

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base Current

 

IB

 

 

 

 

 

-500

 

 

 

 

 

mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power Dissipation at Tamb=25°C*

Ptot

 

 

 

 

 

625

 

 

 

 

 

mW

Operating and Storage

Tj:Tstg

 

 

 

 

-55 to +150

 

 

 

°C

Temperature Range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic substrate measuring 15x15x0.6mm

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2% Spice parameter data is available upon request for these devices

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FMMT717

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

V(BR)CBO

-12

-35

 

V

IC=-100μA

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

V(BR)CEO

-12

-25

 

V

IC=-10mA*

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

V(BR)EBO

-5

-8.5

 

V

IE=-100μA

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off

ICBO

 

 

-100

nA

VCB=-10V

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cut-Off Current

IEBO

 

 

-100

nA

VEB=-4V

Collector Emitter

ICES

 

 

-100

nA

VC ES=-10V

Cut-Off Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

VCE(sat)

 

-10

-17

mV

IC=-0.1A, IB=-10mA*

Saturation Voltage

 

 

-100

-140

mV

IC=-1A, IB=-10mA*

 

 

 

-110

-170

mV

IC=-1.5A, IB=-50mA*

 

 

 

-180

-220

mV

IC=-2.5A, IB=-50mA*

Base-Emitter

VBE(sat)

 

-0.9

-1.0

V

IC=-2.5A, IB=-50mA*

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter Turn-On

VBE(on)

 

-0.8

-1.0

V

IC=-2.5A, VCE=-2V*

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward Current

hFE

300

475

 

 

IC=-10mA, VCE=-2V*

Transfer

 

300

450

 

 

IC=-100mA, VCE=-2V*

Ratio

 

180

275

 

 

IC=-2.5A, VCE=-2V*

 

 

60

100

 

 

IC=-8A, VCE=-2V*

 

 

45

70

 

 

IC=-10A, VCE=-2V*

Transition

fT

80

110

 

MHz

IC=-50mA, VCE=-10V

Frequency

 

 

 

 

 

f=100MHz

Output Capacitance

Cobo

 

21

30

pF

VCB=-10V, f=1MHz

Turn-On Time

t(on)

 

70

 

ns

VCC=-6V, IC=-2A

Turn-Off Time

t(off)

 

130

 

ns

IB1=IB2=50mA

 

 

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2%

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