Zetex (Now Diodes) FMMT558 Schematic [ru]

Loading...

SOT23 NPN SILICON PLANAR

 

 

 

 

 

FMMT458

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

 

 

 

 

 

ISSUE 4 – APRIL 2002

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FEATURES

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* 400 Volt VCEO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COMPLEMENTARY TYPE –

FMMT558

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARTMARKING DETAIL –

458

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

SOT23

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

 

 

SYMBOL

 

VALUE

 

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

 

 

VCBO

 

400

 

 

 

V

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

 

VCEO

 

400

 

 

 

V

Emitter-Base Voltage

 

 

 

 

VEBO

 

5

 

 

 

V

Continuous Collector Current

 

 

 

 

IC

 

225

 

 

 

mA

Peak Pulse Current

 

 

 

 

ICM

 

1

 

 

 

A

Base Current

 

 

 

 

IB

 

200

 

 

 

mA

Power Dissipation at Tamb=25°C

 

Ptot

 

500

 

 

 

mW

Operating and Storage Temperature Range

 

Tj:Tstg

 

-55 to +150

 

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

SYMBOL

 

MIN.

 

MAX.

UNIT

 

 

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

 

V(BR)CBO

 

400

 

 

 

V

 

 

 

IC=100 A

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

 

VCEO(sus)

 

400

 

 

 

V

 

 

 

IC=10mA*

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

 

V(BR)EBO

 

5

 

 

 

V

 

 

 

IE=100 A

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off Current

 

ICBO

 

 

 

 

100

nA

 

 

 

VCB=320V

Collector Cut-Off Current

 

ICES

 

 

 

 

100

nA

 

 

 

VCE=320V

Emitter Cut-Off Current

 

IEBO

 

 

 

 

100

nA

 

 

 

VEB=4V

Collector-Emitter

 

VCE(sat)

 

 

 

 

0.2

 

V

 

IC=20mA, IB=2mA*

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

0.5

 

V

 

IC=50mA, IB=6mA*

Base-Emitter

 

VBE(sat)

 

 

 

 

0.9

 

V

 

IC=50mA, IB=5mA*

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter

 

VBE(on)

 

 

 

 

0.9

 

V

 

IC=50mA, VCE=10V*

Turn On Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward

 

hFE

 

100

 

 

 

 

 

 

IC=1mA, VCE=10V

Current Transfer Ratio

 

 

 

100

 

300

 

 

 

IC=50mA, VCE=10V*

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

IC=100mA, VCE=10V*

Transition Frequency

 

fT

 

50

 

 

MHz

 

IC=10mA, VCE=20V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=20MHz

Output Capacitance

 

Cobo

 

 

 

 

5

 

pF

 

VCB=20V, f=1MHz

Switching times

 

ton

 

 

135 Typical

 

ns

 

IC=50mA, VCC=100V

 

 

toff

 

 

2260 Typical

 

ns

 

IB1=5mA, IB2=-10mA

*Measured under pulsed conditions.

Spice parameter data is available upon request for this device

+ 2 hidden pages