Zetex (Now Diodes) FMMTA05, FMMTA05R, FMMTA06, FMMTA06R Schematic [ru]

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SOT23 NPN SILICON PLANAR

 

 

 

 

 

 

 

FMMTA05

MEDIUM POWER TRANSISTORS

 

 

 

 

 

FMMTA06

ISSUE 4 – JUNE 1996

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FEATURES

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* 80 Volt VCEO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* Gain of 50 at IC=100mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARTMARKING DETAIL –

FMMTA05 – 1H

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMTA06 – 1G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

FMMTA05R – NA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMTA06R – MA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SOT23

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

 

 

 

SYMBOL

 

FMMTA05

 

FMMTA06

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

 

 

 

VCBO

 

 

60

 

 

 

80

 

V

 

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

 

VCEO

 

 

60

 

 

 

80

 

V

 

Emitter-Base Voltage

 

 

 

 

 

VEBO

 

 

4

 

 

 

V

 

Continuous Collector Current

 

 

 

 

IC

 

 

500

 

 

mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power Dissipation at Tamb=25°C

 

 

 

Ptot

 

 

330

 

 

mW

 

Operating and Storage Temperature Range

 

Tj:Tstg

 

 

 

-55 to +150

 

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

FMMTA05

 

FMMTA06

 

UNIT

 

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MIN.

MAX.

 

MIN.

MAX.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

V(BR)EBO

60

 

 

 

80

 

 

 

V

 

IC=1mA*

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

V(BR)EBO

4

 

 

 

4

 

 

 

V

 

IE=100μA

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off

ICES

 

 

0.1

 

 

 

0.1

 

μA

 

VCES=60V

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off

ICBO

 

 

0.1

 

 

 

0.1

 

μA

 

VCB=60V

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μA

 

VCB=80V

 

 

Static Forward

hFE

 

50

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

IC=10mA, VCE=1V*

 

Current Transfer Ratio

 

 

50

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

IC=100mA, VCE=1V*

 

Collector-Emitter

VCE(sat)

 

 

0.25

 

 

 

0.25

 

V

 

IC=100mA, IB=10mA*

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter

VBE(on)

 

 

1.2

 

 

 

1.2

 

V

 

IC=100mA, VCE=1V*

 

Turn-On Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transition

fT

 

100

 

 

 

100

 

 

 

MHz

 

IC=10mA, VCE=2V

 

Frequency

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=100MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2% Spice parameter data is available upon request for this device

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