Zetex (Now Diodes) FMMTH10 Schematic [ru]

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SOT23 NPN SILICON PLANAR

 

 

 

 

 

 

 

FMMTH10

RF TRANSISTOR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ISSUE 2 – NOVEMBER 1995

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FEATURES

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*

High fT=650MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*

Maximum capacitance 0.7pF

 

 

 

 

 

 

 

 

C

E

* Low noise < 5dB at 500MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

PARTMARKING DETAIL –

3EZ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

SOT23

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

 

 

SYMBOL

 

 

 

VALUE

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

 

VCES

 

 

30

 

V

 

 

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

 

VCEO

 

 

25

 

V

 

 

Emitter-Base Voltage

 

 

 

 

VEBO

 

 

3

 

V

 

 

Continuous Collector Current

 

 

 

 

IC

 

 

25

 

mA

 

 

Peak Pulse Current

 

 

 

 

ICM

 

 

50

 

mA

 

 

Power Dissipation at Tamb=25°C

 

 

Ptot

 

 

330

 

mW

 

 

Operating and Storage Temperature Range

 

Tj:Tstg

 

 

-55 to +150

 

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

SYMBOL

 

MIN.

 

MAX.

 

UNIT

 

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Breakdown

 

V(BR)CBO

 

30

 

 

 

V

 

 

IC=100μA, IE=0

 

 

 

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

 

V(BR)CEO

 

25

 

 

 

V

 

 

IC=1mA, IB=0

 

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base Breakdown

 

V(BR)EBO

 

3

 

 

 

V

 

 

IE=10μA, IC=0

 

 

 

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off

 

ICBO

 

 

 

100

 

nA

 

 

VCB=25V, IE=0

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cut-Off Current

 

IEBO

 

 

 

100

 

nA

 

 

VEB=2V,IC=0

 

 

 

Collector-Emitter Saturation

 

VCE(sat)

 

 

 

0.5

 

V

 

 

IC=4mA, IB=0.4mA

 

 

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Common Base Feedback

 

Crb

 

Typ.

 

0.65

 

pF

 

 

VCB=10V, IE=0

 

 

 

Capacitance

 

 

 

0.45

 

 

 

 

 

 

 

f=1MHz

 

 

 

Base-Emitter Turn-On

 

VBE(on)

 

 

 

0.95

 

V

 

 

IC=4mA, VCE=10V

 

 

 

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward Current

 

hFE

 

60

 

 

 

 

 

 

 

IC=4mA, VCE=10V*

 

 

Transfer Ratio

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transition Frequency

 

fT

 

650

 

 

 

MHz

 

 

IC=4mA, VCE=10V, f=100MHz

 

 

Collector Base Capacitance

 

Ccb

 

 

 

0.7

 

pF

 

 

VCB=10V, IE=0, f=1MHz

 

 

Collector Base Time Constant

 

rbCc

 

 

 

9

 

ps

 

 

IC=4mA, VCB=10V, f=31.8MHz

 

 

Noise Figure

 

Nf

 

Typ.

 

5

 

dB

 

 

IC=2mA, VCE=5V

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

f=500MHz,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2% Spice parameter data is available upon request for this device

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