Zetex (Now Diodes) FMMT918 Schematic [ru]

Loading...

SOT23 NPN SILICON PLANAR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VHF/UHF TRANSISTOR

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT918

ISSUE 2 – JANUARY 1996

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARTMARKING DETAILS – 3B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

SOT23

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

 

 

SYMBOL

 

 

VALUE

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

 

 

VCBO

 

 

30

 

V

 

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

 

VCEO

 

 

15

 

V

 

Emitter-Base Voltage

 

 

 

 

VEBO

 

 

3

 

V

 

Continuous Collector Current

 

 

 

IC

 

 

100

 

mA

 

Power Dissipation at Tamb=25°C

 

 

 

Ptot

 

 

330

 

mW

 

Operating and Storage Temperature Range

 

Tj:Tstg

 

-55 to +150

 

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

SYMBOL

MIN.

 

TYP.

MAX.

UNIT

 

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

 

V(BR)CBO

30

 

 

 

 

V

 

IC=1μA, IE=0

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

 

VCEO(sus)

15

 

 

 

 

V

 

IC=3mA, IB=0*

 

 

Sustaining Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

 

V(BR)EBO

3

 

 

 

 

V

 

IE=10μA, IC=0

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off Current

 

ICBO

 

 

 

 

0.05

μA

 

VCB=15V, IE=0

 

 

Collector-Emitter

 

VCE(sat)

 

 

 

 

0.4

V

 

IC=10mA, IB=1mA

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter

 

VBE(sat)

 

 

 

 

1.0

V

 

IC=10mA, IB=1mA

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward Current

 

hFE

20

 

 

 

 

 

 

 

IC=3mA, VCE=1V

 

Transfer Ratio

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transition Frequency

 

fT

600

 

 

 

 

MHz

 

IC=4mA, VCE=10V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=100MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output Capacitance

 

Cobo

 

 

 

 

3.0

pF

 

VCB=0V, f=1MHz

 

 

 

 

 

 

 

1.7

pF

 

VCB=10V, f=1MHz

 

Input Capacitance

 

Cibo

 

 

 

 

1.6

pF

 

VEB=0.5V,f=1MHz

 

Noise Figure

 

N

 

 

 

 

6.0

dB

 

VCE=6V, IC=1mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=60MHz, RG=400Ω

 

Common Emitter

 

Gpe

 

 

15

 

dB

 

VCB=12V, IC=6mA

 

Power Gain

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=200MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300μs. Duty cycle 2% Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 168

+ 1 hidden pages