Zetex (Now Diodes) FMMT4124 Schematic [ru]

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SOT23 NPN SILICON PLANAR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SWITCHING TRANSISTOR

 

 

 

 

 

 

FMMT4124

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ISSUE 2 – MARCH 94

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARTMARKING DETAIL –

ZC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

 

 

 

SYMBOL

 

VALUE

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

 

 

 

VCBO

 

30

 

V

 

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

 

 

VCEO

 

25

 

V

 

Emitter-Base Voltage

 

 

 

 

 

VEBO

 

5

 

V

 

Continuous Collector Current

 

 

 

IC

 

200

 

mA

 

Power Dissipation at Tamb=25°C

 

 

 

Ptot

 

330

 

mW

 

Operating and Storage Temperature Range

 

Tj:Tstg

 

 

-55 to +150

 

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

 

MAX.

UNIT

 

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

V(BR)CBO

30

 

 

 

 

V

 

IC=10μA

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

V(BR)CEO

25

 

 

 

 

V

 

IC=1mA*

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

V(BR)EBO

5

 

 

 

 

V

 

IE=10μA

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off Current

ICBO

 

 

 

50

 

nA

 

VCB=20V

 

 

Emitter Cut-Off Current

IEBO

 

 

 

50

 

nA

 

VEB=3V

 

 

Collector-Emitter

VCE(sat)

 

 

 

0.3

 

V

 

IC=50mA, IB=5mA*

 

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter

VBE(sat)

 

 

 

0.95

 

V

 

IC=50mA, IB=5mA*

 

 

SaturationVoltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward

hFE

120

 

360

 

 

 

IC=2mA, VCE=1V*

 

 

Current Transfer Ratio

 

 

60

 

 

 

 

 

 

IC=50mA, VCE=1V*

 

 

Transistion Frequency

fT

300

 

 

 

MHz

 

IC=10mA, VCE=20V, f=100MHz

 

Output Capacitance

Cobo

 

 

 

4

 

pF

 

VCB=5V, IE=0, f=140KHz

 

Input Capacitance

Cibo

 

 

 

8

 

pF

 

VBE=0.5V, IE=0, f=140KHz

 

Noise Figure

N

 

 

 

6

 

dB

 

IC=200μA, VCE=5V, Rg=2kΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=30Hz to 15KHz at 3dB points

 

Small Signal Current

hfe

120

 

480

 

 

 

IC=2mA, VCE=1V, f=1KHz

 

Transfer

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SWITCHING CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

SYMBOL

 

TYP.

 

UNIT

CONDITIONS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Delay Time

 

td

 

24

 

 

ns

 

VCC=3V, VBE(off)=0.5V

 

 

Rise Time

 

t

 

13

 

 

ns

 

IC=10mA, IB1=1mA

 

 

 

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Storage Time

 

ts

 

125

 

ns

 

VCC=3V, IC=10mA

 

 

Fall Time

 

t

 

11

 

 

ns

 

IB1=IB2=1mA

 

 

 

 

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2%

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