Zetex (Now Diodes) FMMT5088, FMMT5089 Schematic [ru]

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SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS

ISSUE 2 - SEPTEMBER 1995

FMMT5088

FMMT5089

PARTMARKING DETAIL—

FMMT5088 - 1Q

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT5089 - 1R

 

 

 

 

 

 

C

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COMPLEMENTARY TYPES — FMMT5088 - FMMT5087

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT5089 - None Available

 

 

 

 

 

B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

 

 

SYMBOL

FMMT5088

FMMT5089

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

 

 

VCBO

 

35

 

 

30

 

V

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

VCEO

 

30

 

 

25

 

V

Emitter-Base Voltage

 

 

 

 

VEBO

 

4.5

 

 

4.5

 

V

Continuous Collector Current

 

 

IC

 

50

 

 

50

 

mA

Power Dissipation at Tamb=25°C

 

 

Ptot

 

330

 

 

330

 

mW

Operating and Storage Temperature Range

Tj:Tstg

 

 

-55 to +150

 

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT5088

FMMT5089

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

SYMBOL

MIN.

MAX.

MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

 

V(BR)CBO

35

 

 

25

 

 

V

IC=1mA, IB=0

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

 

V(BR)CEO

30

 

 

30

 

 

V

IC=100μA,IE=0*

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CollectorBase

 

ICBO

 

 

50

 

 

 

nA

VCB=20V, IE=0

 

Cut-Off Current

 

 

 

 

 

 

 

50

 

nA

VCB=15V, IE=0

 

Emitter-Base Current

 

IEBO

 

 

50

 

 

 

nA

VEB(off)=3V, IC=0

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

nA

VEB(off)=4.5V, IC=0

Emitter Saturation

 

VCE(sat)

 

0.5

 

0.5

 

V

IC=10mA, IB=1mA

Voltages

 

VBE(sat)

 

0.8

 

0.8

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward

 

hFE

 

300

900

400

1200

 

 

 

 

IC=100μA, VCE=5V

Current Transfer

 

 

 

350

 

 

450

 

 

 

 

 

IC=1mA, VCE=5V

Ratio

 

 

 

300

 

 

400

 

 

 

 

 

IC=10mA, VCE=5V

Transition

 

fT

 

50

 

 

50

 

 

MHz

IC=500μA, VCE=5V

Frequency

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=20MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output Capacitance

 

Cobo

 

 

4

 

 

4

 

pF

VCB=5V, f=1MHz, IE=0

Emitter-base

 

Cebo

 

 

10

 

10

 

pF

VBE=0.5V, f=1MHz,

Capacitance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC=0

 

Noise Figure

 

N

 

 

3

 

 

2

 

dB

IC=200mA, VCE=5V,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rg=10KΩ, f=10Hz to

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15KHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Small Signal Current

 

hfe

 

350

1400

450

1800

 

 

 

 

IC=1mA, VCE=5V

Transfer Ratio

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=1KHz ++

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2%

++ Periodic Sample test Only

Spice parameter data is available upon request for this device

 

 

 

 

 

 

 

 

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