NEC Electronics Inc UPA807T-T1, UPA807T Datasheet

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NEC Electronics Inc UPA807T-T1, UPA807T Datasheet

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

μPA807T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) SUPER MINI MOLD

FEATURES

Low Current, High Gain

|S21e|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz |S21e|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

A Super Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

 

PACKING STYLE

 

 

 

μPA807T

Loose products

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6

 

(50 PCS)

(Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4

 

 

(Q2

Emitter) face to perforation

μPA807T-T1

Taping products

side of the tape.

 

(3 KPCS/Reel)

 

 

 

 

 

 

 

Remark If you require an evaluation sample, please contact an

NEC Sales Representative. (Unit sample quantity is 50

pcs.)

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: mm)

2.1±0.1

1.25±0.1

 

 

 

 

 

 

+0.1

–0

2.0±0.2

1.3

0.65 0.65

2 1

Y X

5 6

0.2

 

 

 

3

 

4

 

 

0.9±0.1

0.7

+0.1

–0

 

0.1

0.15

 

0 to

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

 

PIN CONFIGURATION (Top View)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

RATING

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Base Voltage

VCBO

5

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

VCEO

3

V

 

 

 

6

 

 

 

5

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Q1

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to Base Voltage

VEBO

2

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Q2

 

Collector Current

IC

10

mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Total Power Dissipation

PT

30 in 1 element

mW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60 in 2 elements

 

 

1

 

 

 

2

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Junction Temperature

Tj

150

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Storage Temperature

Tstg

–65 to +150

°C

PIN CONNECTIONS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.

Collector (Q1)

4.

Emitter (Q2)

 

 

 

2.

Emitter (Q1)

5.

Base (Q2)

 

 

 

3.

Collector (Q2)

6.

Base (Q1)

This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.

Document No. P12153EJ2V0DS00 (2nd edition) (Previous No. ID-3641)

Date Published November 1996 N

©

 

19954

 

Printed in Japan

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μPA807T

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

 

CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB = 5 V, IE = 0

 

 

0.1

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

 

 

0.1

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current Gain

hFE

VCE = 2 V, IC = 7 mANote 1

70

 

140

 

 

 

Gain Bandwidth Product (1)

fT

VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

10

13

 

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain Bandwidth Product (2)

fT

VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

8.5

12

 

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Feed-back Capacitance

Cre

VCB = 2 V, IE = 0, f = 1 MHzNote 2

 

0.4

0.6

pF

 

 

Insertion Power Gain (1)

|S21e|2

VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

7.5

9

 

dB

 

 

Insertion Power Gain (2)

|S21e|2

VCE = 1

V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

7

8.5

 

dB

 

 

Noise Figure (1)

NF

VCE = 2

V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

 

1.5

2

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise Figure (2)

NF

VCE = 1

V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

 

1.5

2

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE Ratio

hFE1/hFE2

VCE = 2

V, IC = 7 mA

0.85

 

 

 

 

 

 

 

A smaller value among

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE of hFE1 = Q1, Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

A larger value among

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE of hFE2 = Q1, Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Notes 1. Pulse Measurement: Pw 350 μs, Duty cycle 2 %

 

 

 

 

 

2. Measured with 3-pin bridge, emitter and case should be connected to guard pin of bridge.

hFE CLASSIFICATION

Rank

KB

 

 

Marking

T84

 

 

hFE Value

70 to 140

 

 

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

TOTAL POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE

(mW)

200

 

PT

 

 

 

 

Dissipation

100

 

 

 

Power

 

2 Elements in Total

60 mW

 

Total

 

Per Element

30 mW

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

 

Ambient Temperature TA (°C)

 

COLLECTOR CURRENT

vs. COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

 

25

 

 

 

 

 

(mA)

20

 

 

 

 

 

 

 

 

200

μA

 

IC

15

 

 

180

μA

 

Current

 

 

160

μA

 

 

 

 

140

μ

 

 

 

 

A

 

 

 

 

120

μA

 

Collector

10

 

 

100

μA

 

 

 

 

80

μ

 

 

 

 

A

 

 

 

 

60

μ

 

 

 

 

A

 

5

 

 

40

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 20

μ

 

 

 

 

A

 

0

1.0

2.0

3.0

 

 

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

COLLECTOR CURRENT

vs. BASE TO EMITTER VOLTAGE

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC (mA)

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0.5

 

 

 

1.0

Base to Emitter Voltage VBE (V)

DC CURRENT GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

 

500

 

 

 

 

 

 

hFE

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

100

 

 

 

VCE = 2 V

 

 

 

 

 

 

DC Current

 

 

 

 

 

50

 

 

VCE = 1 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

1

2

5

10

20

50

100

 

 

 

Collector Current IC (mA)

 

 

2

GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs. COLLECTOR CURRENT

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 2 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fT (GHz)

 

 

 

 

VCE = 2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ProductBandwidth

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 1 V

 

 

 

 

 

 

Gain

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

2

3

5

7

10

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

Collector Current IC (mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NOISE FIGURE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

vs. COLLECTOR CURRENT

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 2 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(dB)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Figure

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 1 V

 

 

 

Noise

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 2 V

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

2

3

 

 

5

 

 

7

10

 

 

 

 

 

 

Collector Current IC (mA)

 

 

 

 

μPA807T

INSERTION POWER GAIN vs. COLLECTOR CURRENT

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(dB)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|S21e|2

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 1 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion Power

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

1

 

2

3

 

5

 

7

10

20

 

 

 

 

 

Collector Current IC (mA)

 

 

 

 

FEED-BACK CAPACITANCE

 

 

 

 

vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

 

0.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Cre (pF)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 1 MHz

0.6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

back-Capacitance

0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Feed

0.4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.0

2.0

 

4.0

 

6.0

 

8.0

10.0

Collector to Base Voltage VCB (V)

3

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