NEC Electronics Inc UPA835TF-T1, UPA835TF, UPA835TC Datasheet

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DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

μPA835TC

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE

DESCRIPTION

The μPA835TC has built-in two different transistors (Q1 and Q2) for low noise amplification in the VHF band to

UHF band.

FEATURES

Low noise

Q1 : NF = 1.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 3 mA Q2 : NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

High gain

Q1 : |S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 10 mA Q2 : |S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package

Built-in 2 different transistors (2SC5010, 2SC5006)

BUILT-IN TRANSISTORS

 

 

 

Q1

Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

3-pin ultra super minimold part No.

 

2SC5010

2SC5006

 

 

 

 

 

 

 

 

ORDERING INFORMATION

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Part Number

Package

 

Quantity

 

 

Supplying Form

 

 

 

 

 

μPA835TC

Flat-lead 6-pin

Loose products

 

8 mm wide embossed tape.

 

thin-type ultra

 

(50 pcs)

 

Pin 6 (Q1 Base), pin 5 (Q2 Emitter), pin 4 (Q2 Base) face to perforation

 

super minimold

 

 

 

side of the tape.

μPA835TC-T1

Taping products

 

 

 

 

 

 

 

 

(3 kp/reel)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample order:

μPA835TC.)

Caution Electro-static sensitive devices

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Document No. P14555EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 1999 N CP(K)

Printed in Japan

©

1999

 

 

 

 

 

 

 

μPA835TC

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

Symbol

 

Ratings

 

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

Q1

 

Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Base Voltage

VCBO

9

 

20

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

VCEO

6

 

12

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to Base Voltage

VEBO

2

 

3

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Current

IC

30

 

100

 

mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Total Power Dissipation

PTNote

180 in 1 element

 

200 in 1 element

 

mW

 

 

 

 

 

230 in 2 elements

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Junction Temperature

Tj

150

 

150

 

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Storage Temperature

Tstg

 

65 to +150

 

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Note Mounted on 1.08 cm2 × 1.0 mm glass epoxy substrate.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C)

(1) Q1

Parameter

Symbol

 

Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB = 5 V, IE = 0

0.1

μA

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

0.1

μA

 

 

 

 

 

 

 

DC Current Gain

hFE

VCE = 3 V, IC = 10 mANote 1

75

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain Bandwidth Product

fT

VCE = 3

V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

10.0

12.0

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

Feedback Capacitance

Cre

VCB = 3

V, IE = 0, f = 1 MHzNote 2

0.4

0.7

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion Power Gain

|S21e|2

VCE = 3

V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

7.0

8.5

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise Figure

NF

VCE = 3

V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

1.5

2.5

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

Notes 1. Pulse Measurement: PW 350 μs, Duty Cycle 2%

2.Collector to base capacitance when measured with capacitance meter (automatic balanced bridge method), with emitter connected to guard pin of capacitance meter.

2

Data Sheet P14555EJ1V0DS00

μPA835TC

(2) Q2

Parameter

Symbol

 

Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB = 10 V, IE = 0

1.0

μA

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

1.0

μA

 

 

 

 

 

 

 

DC Current Gain

hFE

VCE = 3 V, IC = 7 mANote 1

70

140

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain Bandwidth Product

fT

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

3.0

4.5

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

Feedback Capacitance

Cre

VCB = 3

V, IE = 0, f = 1 MHzNote 2

0.7

1.5

pF

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion Power Gain

|S21e|2

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

7.0

9.0

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise Figure

NF

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

1.2

2.5

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

Notes 1. Pulse Measurement: PW 350 μs, Duty Cycle 2%

2.Collector to base capacitance when measured with capacitance meter (automatic balanced bridge method), with emitter connected to guard pin of capacitance meter.

hFE CLASSIFICATION

Rank

FB

 

 

Marking

37

 

 

hFE Value of Q1

75 to 150

 

 

hFE Value of Q2

70 to 140

 

 

Data Sheet P14555EJ1V0DS00

3

NEC Electronics Inc UPA835TF-T1, UPA835TF, UPA835TC Datasheet

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C)

Q1

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

(mW)

230

2 Elements in total

Free Air

 

200

 

 

 

PT

180

 

 

 

 

 

 

 

Dissipation

 

Per

 

 

 

Element (Q1)

 

 

100

 

 

 

Total Power

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

0

 

 

Ambient Temperature TA (°C)

 

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC (mA)

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to Emitter Voltage VBE (V)

 

 

 

 

 

 

 

COLLECTOR CURRENT vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

18

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 160

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 140 μA

 

 

IC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 120

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 100 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 80 μ A

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 60 μ A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 40 μ A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 20 μ A

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

2

 

3

 

 

4

5

 

 

 

 

6

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

 

VCE (V)

 

 

μPA835TC

Q2

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

(mW)

230

2 Elements in total

Free Air

 

200

 

 

 

PT

 

Per

 

 

Dissipation

 

 

 

 

Element (Q2)

 

 

100

 

 

 

Total Power

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

100

150

 

0

 

 

Ambient Temperature TA (°C)

 

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC (mA)

 

VCE = 3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CurrentCollector

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

Base to Emitter Voltage VBE (V)

 

 

 

 

 

 

COLLECTOR CURRENT vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

 

 

 

18

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)IC

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 160

μ

A

 

 

 

14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 140

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 120

μ

A

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 100 μA

 

 

Collector

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 80 μ A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 60

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 40

μ

A

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 20

μ

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

2

 

3

 

 

4

5

 

 

 

 

6

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

VCE (V)

 

 

4

Data Sheet P14555EJ1V0DS00

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