NEC Electronics Inc UPA809TF, UPA809T-T1, UPA809T Datasheet

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NEC Electronics Inc UPA809TF, UPA809T-T1, UPA809T Datasheet

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

μPA809T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

FEATURES

Low Voltage Operation, Low Phase Distortion

Low Noise

NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA

A Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5193)

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: mm)

2.1±0.1

1.25±0.1

 

 

 

 

 

 

+0.1

–0

2.0±0.2

1.3

0.65 0.65

2 1

Y X

5 6

0.2

 

 

 

3

 

4

 

 

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

 

 

 

μPA809T

Loose products

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

 

(50 PCS)

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Emitter)

 

 

face to perforation side of the tape.

 

 

 

μPA809T-T1

Taping products

 

 

(3 KPCS/Reel)

 

 

 

 

Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

SYMBOL

RATING

UNIT

 

 

 

 

Collector to Base Voltage

VCBO

9

V

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

VCEO

6

V

 

 

 

 

Emitter to Base Voltage

VEBO

2

V

 

 

 

 

Collector Current

IC

100

mA

 

 

 

 

Total Power Dissipation

PT

150 in 1 element

mW

 

 

200 in 2 elementsNote

 

Junction Temperature

Tj

150

˚C

 

 

 

 

Storage Temperature

Tstg

–65 to +150

˚C

 

 

 

 

Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.

0.9±0.1

0.7

+0.1

–0

 

0~0.1

0.15

PIN CONFIGURATION (Top View)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

5

4

 

 

 

Q1

 

 

 

 

 

Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

2

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PIN CONNECTIONS

 

1.

Collector (Q1)

4.

Emitter (Q2)

2.

Emitter (Q1)

5.

Base (Q2)

3.

Collector (Q2)

6.

Base (Q1)

This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. ID-3643

(O.D. No. ID-9150)

Date Published

April 1995 P

 

 

Printed in Japan

©

 

1995

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μPA809T

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(TA = 25 °C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

 

CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB = 5 V, IE = 0

 

 

0.1

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

 

 

0.1

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current Gain

hFE

VCE = 1 V, IC = 3 mANote 1

80

 

160

 

 

 

Gain Bandwidth Product (1)

fT

VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

4.0

4.5

 

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain Bandwidth Product (2)

fT

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

 

9.0

 

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Feed-back Capacitance

Cre

VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHzNote 2

 

0.75

0.85

pF

 

 

Insertion Power Gain (1)

|S21|2

VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

2.5

3.5

 

dB

 

 

Insertion Power Gain (2)

|S21|2

VCE = 3

V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

 

6.5

 

dB

 

 

Noise Figure (1)

NF

VCE = 1

V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

 

1.7

2.5

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Noise Figure (2)

NF

VCE = 3

V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

 

1.5

 

dB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE Ratio

hFE1/hFE2

VCE = 1

V, IC = 3 mA

0.85

 

 

 

 

 

 

 

A smaller value among

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE of hFE1 = Q1, Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

A larger value among

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE of hFE2 = Q1, Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Notes 1. Pulse Measurement: Pw 350 μs, Duty cycle 2 %

2. Measured with 3-pin bridge, emitter and case should be connected to guard pin of bridge.

hFE CLASSIFICATION

Rank

KB

 

 

Marking

T88

 

 

hFE Value

80 to 160

 

 

2

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

(mW)

 

 

 

 

 

Free Air

 

200

 

 

 

 

 

 

PT

 

 

 

 

 

 

 

Dissipation

 

 

2

Elements

 

 

 

 

Per

 

in

Total

 

100

Element

 

Total Power

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

50

 

 

 

100

150

 

 

Ambient Temperature TA (°C)

 

 

 

 

COLLECTOR CURRENT vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)IC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

180 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

160

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

140 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

120

μA

 

 

Collector

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

80 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB = 20 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

1

2

3

4

 

 

5

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

 

 

 

 

 

 

 

GAIN BANDWIDTH PRODUCT

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

vs. COLLECTOR CURRENT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(GHz)fProductT

f = 2 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 1 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain Bandwidth

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

2

 

3

 

 

 

5

 

7

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Current IC (mA)

μPA809T

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50

VCE = 1 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(mA)IC

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.05

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.02

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.01

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0.5

 

 

 

1

Base to Emitter Voltage VBE (V)

DC CURENT GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 1 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain hFE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CurrentDC

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

 

 

 

 

 

Collector Current IC (mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

INSERTION GAIN vs.

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

COLLECTOR CURRENT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(dB)

 

f = 2 GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 1 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|S21e|

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion Power

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

2

3

 

 

5

7

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Current IC (mA)

3

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