Panasonic 2SD2374A, 2SD2374 Datasheet

0 (0)
Panasonic 2SD2374A, 2SD2374 Datasheet

Power Transistors

2SD2374, 2SD2374A

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification

Complementary to 2SB1548 and 2SB1548A

Features

High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity

Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

Absolute Maximum Ratings (TC=25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

 

 

 

 

 

Collector to

2SD2374

VCBO

60

V

 

 

 

base voltage

2SD2374A

80

 

 

 

 

 

 

 

Collector to

2SD2374

VCEO

60

V

 

 

 

emitter voltage

2SD2374A

80

 

 

 

 

 

 

 

Emitter to base voltage

VEBO

6

V

Peak collector current

ICP

5

A

Collector current

IC

3

A

Collector power

TC=25°C

PC

25

W

dissipation

Ta=25°C

2

 

 

 

 

 

 

 

Junction temperature

Tj

150

˚C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

˚C

Unit: mm

 

9.9±0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

4.6±0.2

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.0±0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.9±0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

φ3.2±0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

15.0±

 

 

 

 

 

 

 

1.4±0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.2

 

 

 

 

 

 

1.6±0.2

 

 

 

 

 

 

2.6±0.1

 

 

±

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.2

 

4.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

±

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13.7

 

 

 

 

 

 

 

 

0.8±0.1

 

 

 

 

 

 

 

0.55±0.15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.54±0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2 3 5.08±0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1:Base

2:Collector

3:Emitter TO–220D Full Pack Package

Electrical Characteristics

(TC=25˚C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

 

 

Symbol

 

Conditions

min

typ

max

Unit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cutoff

 

2SD2374

 

ICES

 

VCE = 60V, VBE = 0

 

 

200

A

current

 

 

2SD2374A

 

 

VCE = 80V, VBE = 0

 

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter cutoff

 

 

2SD2374

 

ICEO

 

VCE = 30V, IB = 0

 

 

300

A

current

 

 

2SD2374A

 

 

VCE = 60V, IB = 0

 

 

300

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter cutoff current

 

 

 

IEBO

 

VEB = 6V, IC = 0

 

 

1

mA

Collector to emitter voltage

 

VCEO

 

IC = 30mA, IB = 0

60

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

*

 

VCE = 4V, IC = 1A

70

 

250

 

Forward current transfer ratio

 

hFE1

 

 

 

 

hFE2

 

VCE = 4V, IC = 3A

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base to emitter voltage

 

VBE

 

VCE = 4V, IC = 3A

 

 

1.8

V

Collector to emitter saturation voltage

 

VCE(sat)

 

IC = 3A, IB = 0.375A

 

 

1.2

V

Transition frequency

 

 

 

fT

 

VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 10MHz

 

30

 

MHz

Turn-on time

 

 

 

 

 

ton

 

IC = 1A, IB1 = 0.1A, IB2 = – 0.1A,

 

0.5

 

s

Storage time

 

 

 

 

 

tstg

 

 

2.5

 

s

 

 

 

 

 

 

VCC = 50V

 

 

Fall time

 

 

 

 

 

tf

 

 

0.4

 

s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*hFE1 Rank classification

 

 

 

 

 

 

 

 

Rank

 

Q

 

P

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE1

 

70 to 150

120 to 250

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

Loading...
+ 1 hidden pages