Siemens SFH314FA-2, SFH314FA-3, SFH314, SFH314-2, SFH314-3 Datasheet

.

Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor

Area not flat

0.8

6.9

6.1

5.7

5.5

0.4

ø5.1

4.0

3.4
Chip position

5.9

5.5

ø4.8

GEX06630

0.6

0.4

spacing

2.54 mm

Cathode (Diode)
Collector (Transistor)

Approx. weight 0.4 g

1.8

1.2

29.5

27.5

SFH 314
SFH 314 FA

SFH 314
SFH 314 FA

0.6

0.4

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensio ns in mm , unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314)
und bei 880 nm (SFH 314 FA)

● Hohe Linearität

● 5 mm-Plastikbauform

Anwendungen

● Computer-Blitzlichtgeräte

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

460 nm to 1080 nm (SFH 314) and of
880 nm (SFH 314 FA)

● High linearity

● 5 mm plastic package

Applications

● Computer-controlled flashes

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

feof6652 feo06652

Semiconductor Group 1 1997-11-27

Typ
Type

SFH 314
SFH 314 FA

Bestellnummer
Ordering Code

SFH 314
SFH 314-2
SFH 314-3

SFH 314 FA
SFH 314 FA-2
SFH 314 FA-3

Q62702-P1668
Q62702-P1755
Q62702-P1756

Q62702-P1675
Q62702-P1757
Q62702-P1758

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time

t ≤ 5 s

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

260 °C

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom

t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage

Verlustleistung,

T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

T

S

V

CE

I

C

I

CS

V

EC

P

tot

R

thJA

300 °C

70 V

50 mA

100 mA

7V

200 mW

375 K/W

Semiconductor Group 2 1997-11-27