Siemens SFH4860 Datasheet

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)

Chip position

SFH 4860

4.05

3.45

(2.7)

ø4.8

ø4.6

1.1

0.9

Flat glass cap

ø2.54

Features

● Radiation without IR in the visible red range

● Cathode is electrically connected to the case

● Very high efficiency

● High reliability

● Short switching time

Applications

● Photointerrupters

● Hermetically sealed package

1.1

0.9

5.5

5.2

GMO06983

14.5

ø0.45

spacing

2.54 mm

Cathode

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

12.5

Wesentliche Merkmale

● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne

IR-Anteil

● Kathode galvanisch mit dem

Gehäuseboden verbunden

● Sehr hoher Wirkungsgrad

● Hohe Zuverlässigkeit

● Kurze Schaltzeiten

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz

● Hermetisch dichtes Gehäuse

fmo06983

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

SFH 4860 Q62702-P5053 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe,

Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden

18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing

2.54 mm (1/10’’),
anode marking: projection at package bottom

Semiconductor Group 1 1998-08-25

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 4860

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, tp= 10 µs, D = 0
Surge current

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand
Thermal resistance

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

R

thJC

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 125 °C

125 °C

3V

50 mA

1A

140 mW

450
160

K/W
K/W

Semiconductor Group 2 1998-08-25