Siemens SFH486 Datasheet

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

Area not flat

SFH 486

0.4

9.0

8.2

7.8

7.5

5.7

5.1
Chip position

ø5.1

ø4.8

5.9

5.5

0.6

0.4

GEX06626

Features

● Fabricated in a liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Spectral match with silicon photodetectors

0.6

0.4

0.8

spacing

2.54 mm

Anode
Approx. weight 0.5 g

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

1.8

1.2

29.5

27.5

Wesentliche Merkmale

● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

fex06626

Anwendungen

● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern

● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und

Applications

● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers

● Remote control for steady and varying

intensity

Wechsellichtbetrieb

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

SFH 486 Q62703-Q1094

Semiconductor Group 1 1997-11-01

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 486

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaβstrom
Forward current

t

Stoβstrom,

= 10 µs, D = 0

p

Surge current
Verlustleistung

Power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

100 °C

5V

100 mA

2.5 A

200 mW

375 K/W

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 100 mA

F

rel

rel

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

∆λ 80 nm

ϕ±11 Grad

deg.

A

L × B
L

× W

H

0.16 mm

0.4 × 0.4 mm

5.1 ... 5.7 mm

2

Semiconductor Group 2 1997-11-01